武汉科技大学考研子技术试题及答案05-07.docVIP

武汉科技大学 200５年硕士研究生入学考试试题 课程名称： 电子技术 总页数：共4页 说明： 1、适用专业：控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。 2、可使用的常用工具：计算器、绘图工具。 3、答题内容请写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程，只给出答案的不给分。 选择填空题：（共30分，每空2分） 场效应管属于 控制型器件，晶体三极管属于 控制型器件。 A、电流； B、电感； C、电压； D、电容。 晶体三极管用来放大时，发射结应处于 偏置，集电结应处于 偏置。 A、反向； B、90°； C、正向； D、不定。 为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合，可在两者之间插入 ；为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路，可在低阻输出的放大电路之后接入 。 A、共射电路； B、共集电路； C、共基电路； D、不定。 多级直接耦