2016光电探测技术-第二章讲稿.ppt

SiC材料研究进展 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 1）采用升华法制备SiC晶体来开发各种器件的时期； 2）SiC的外延生长等基础研究时期； 3）接近相关领域应用要求的当前研究开发时期。 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 SiC薄膜的制备方法 薄膜质量的高低将直接关系到其光电性能，进而影响其在微电子中的应用，因此，制备高质量的薄膜尤其重要，同时也是一项非常困难的工作。 物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition) 溅射法 离子注入合成法 二次溅射 射频溅射 磁控溅射 分子束外延（MBE） 化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition) 低压化学气相沉积（LPCVD） 热灯丝化学气相沉积（HFCVD） 等离子化学气相沉积（PECVD） 磁控溅射 E⊥靶面，B∥靶面 第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备 二次电子与气体分子碰撞以后，损失能量，其运动轨迹会稍微偏离阴极而靠近阳极（阴阳极间距的1/100左右），这样必须经多次碰撞后二次电子才能到达阳极（基片）。一方面增加了碰撞电离的几率，另一方面对基片的损伤小。 e2电子可直接到达阳极，但其比例很少。 气体电离后的正离子轰击靶，打出新的e1电子，重复上述过程。 磁控溅射靶的类型 适合