实验一scr、gto、gtr、mosfet、igbt特性实验.docVIP

实验一scr、gto、gtr、mosfet、igbt特性实验.doc

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实验一scr、gto、gtr、mosfet、igbt特性实验

实验一 SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT特性实验 实验目的和任务 掌握各种电力电子器件的工作特性; 掌握各器件对触发信号的要求。 实验内容 晶闸管(SCR)特性实验; 可关断晶闸管(GTO)特性实验; 功率场效应管(MOSFET)特性实验; 大功率晶闸管(GTR)特性实验; 绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。 实验仪器、设备及材料 DJK01 电源控制屏(该控制屏包含“三相电源输出”等模块); DJK06 给定、负载及吸收电路(该挂件包含“二极管”以及“开关”); DJK07新器件特性实验; DK04滑线变阻器(串联形式:0.65A,2kΩ;并联形式:1.3A,500Ω); 万用表。 实验原理 将电力电子器件 包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 和负载电阻R 串联后接至直流电源的两端,由DJK06 上的给定为新器件提供触发电压信号,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得在上述过程中器件的V/A 特性;图2.1中的电阻R 用DK04 上的滑线变电阻,并接成并联形式,直流电压和电流表可从DJK01 电源控制屏上获得,五种电力电子器件均在DJK07 挂箱上;直流电源从电源控制屏的励磁电源取得。 实验线路的具体接线如图2.1所示。 图2.1 新器件特性实验原理图 主要技术重点、难点 确定器件的临界导通和稳定导通; 分析SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT特性的异同点。 实验步骤 1、按图2.1 所示接线,首先将晶闸管(SCR)接入主电路,在实验开始时,将DJK06 上的给定电位器RP1 沿逆时针旋到底,关闭励磁电压。按下“启动”按钮,打开DJK06 的电源开关,然后打开励磁开关,缓慢调节给定输出,同时监视电压表的读数,当直流电压升到40V 时,停止调节单相调压器 在以后的其他实验中,均不用调节 ;调节给定电位器RP1,逐步增加给定电压,监视电压表、电流表的读数,当电压表指示接近零(表示管子完全导通),停止调节,记录给定电压Ug 调节过程中回路电流Id 以及器件的管压降Uv,填入表2.1。 表2.1 SCR 的Ug、 Uv、 Iv数值 次数 参数 1 2 3 4 5 Ug Id Uv 2、按下控制屏的“停止”按钮,将晶闸管换成可关断晶闸管(GTO),重复上述步骤,并记录数据,填入表2.2。 表2.2 GTO 的Ug、 Uv、 Iv数值 次数 参数 1 2 3 4 5 Ug Id Uv 3、按下控制屏的“停止”按钮,换成功率场效应管(MOSFET),重复上述步骤,并记录数据,填入表2.3。 表2.3 MOSFET的Ug、 Uv、 Iv数值 次数 参数 1 2 3 4 5 Ug Id Uv 4、按下控制屏的“停止”按钮,换成大功率晶体管(GTR),重复上述步骤,并记录数据,填入表2.4。 表2.4 GTR 的Ug、 Uv、 Iv数值 次数 参数 1 2 3 4 5 Ug Id Uv 按下控制屏的“停止”按钮,换成绝缘双极性晶体管(IGBT),重复上述步骤,并记录数据, 填入表2.5。 表2.5 IGBT的Ug、 Uv、 Iv数值 次数 参数 1 2 3 4 5 Ug Id Uv 实验报告要求 根据实验得到的数据,绘出各器件的输出特性。 实验注意事项 为保证功率器件在实验过程中避免功率击穿,应保证管子的功率损耗 即功率器件的管压降与 器件流过的电流乘积 小于8W;; 为使GTR 特性实验更典型,其电流控制在0.4A 以下; 在主电路未接通时,首先要调试触发电路,只有触发电路工作正常后,才可以接通主电路; 要选择合适的负载电阻和电感,避免过流。在无法确定的情况下,应尽可能选用大的电阻值;; 由于晶闸管持续工作时,需要有一定的维持电流,故要使晶闸管主电路可靠工作,其通过的 电流不能太小,否则可能会造成晶闸管时断时续,工作不可靠。 思考题 各种器件对触发脉冲要求的异同点?

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