半导体物理第一章.3.ppt

三、本征半导体在应用上的限制 ●纯度达不到 本征激发是载流子的主要来源 （杂质原子/总原子 ＜＜ 本征载流子/总原子） Si：原子密度 1023/cm3，室温时，ni =1010/cm3 本征载流子/总原子=1010/1023=10-13＞杂质原子/总原子 要求Si的纯度必须高于99.9999999999999%！ ●本征载流子浓度随温度变化很大 在室温附近： Si: T ↑， 8K ni↑ 一倍 Ge: T ↑， 12K ni↑ 一倍 ●本征半导体的电导率不能控制 电子占据 ED 的几率: 空穴占据 EA 的几率: §3.6 非简并杂质半导体的载流子浓度 一、杂质能级上的电子和空穴浓度 若施主浓度和受主浓度分别为 ND、NA， 则施主能级上的电子浓度 nD 为： — 未电离的施主浓度 电离的施主浓度 nD+ 为： 受主能级上的空穴浓度 pA 为： 电离的受主浓度 pA－为： － 没有电离的受主浓度 ● EF－EA＞＞kT ● EA－EF＞＞kT pA→0，pA－ →NA，受主几乎全电离 ● EF=EA pA→NA，pA－ →0，受主几乎都未电离 EF 高时，受主全电离；EF 低时，受主未电离； 施主相反，EF 高时，施主未电离；EF 低时，施主全电离。 EF →杂质的电离 →导带电子或价带空穴 内在联系 二、杂质半导体载流子浓度和费米能级 带电粒子有： 电子、空穴、电离的施主和电离的受主 电中性条件： no + pA－ = po + nD+ 1. 低温弱电离区 温度很低，kT＜△ED＜＜Eg， 本征激发很小 对 n 型半导体 含有 ND、NA 两种杂质，但 ND＞NA 因 ND ＞NA，价带空穴主要来源于本征激发， 而本征激发很小，所以po? 0 可忽略。 电中性条件可简化为： no + pA－ = nD+ 施主部分电离，EF 在ED 附近， EF＞＞EA，受主全电离， pA－ = NA ∵ nD+=ND－nD ∴no= nD+ － pA－ ＝ND－nD－NA 将 nD 代入，并移项后，得： 令 两边同乘： no＜＜NC，kT ln（no/NC）＜0 ? EF＜EC 费米能级 NA=0 ●no，EF ∵温度很低， 很小 ● n0 ～ T 的关系 对 no 的表达式取对数： lnno≈ 常数 －△ED/(2kT) 1/T lnn0T-3/4 -△ED/(2k) ● EF ～ T 的关系 T→0K时，NC→0， 但： 费米能级位于导带底 和施主能级的中线处 说明 EF 上升很快 T↑，NC↑，dEF/dT↓，说明 EF 随 T 的升高而增大的速度变小了。 但： 当T↑↑，达到 Tmax时： EF 达到最大值： 当T ＞Tmax 后， 当T=T1 时： 当ND↑时，EF ～ T的变化规律不变， 但Tmax↑，EFmax ↑ 中间电离区 T E EC ED EF NC = 0.11 ND 低温弱电离区 EF 与 T 的关系 2. 饱和电离区 —杂质全部电离，本征激发仍很小 同时含有ND和NA，且ND＞NA 电中性条件为： ∵ (EF)本征≈Ei, ∴ 又∵ ni ＜＜ND－NA, ∴EF＞Ei T↑，ni↑，EF↓ 设这个球内所包含的电子态数为Z(E)： Z(E)= 2V/(2?)3× 能量由 E 增加到 E+dE，k 空间体积增加： 电子态数变化dZ(E)： 导带底附近单位能量间隔的电子态数—量子态（状态）密度为： 状态密度与能量的关系 (2)价带顶 E Ec 1 Ev 2 gc(E) gv(E) 对Si、Ge、GaAs材料： 称mdp为价带空穴的状态密度有效质量 2. 极值点ko≠0 导带底附近的状态密度为： 式中S为导带极小值的个数 Si：S=6，Ge：S=4 导带底附近： 令： 称mdn导带电子的状态密度有效质量 由此可知： 状态密度gC（E）和gV（E） 与能量E 有抛物线关系， 还与有效质量有关， 有效质量大的能带中的状态密度大。 §3.4 热平衡时非简并半导体的载流子浓度no和po 一、导带电子浓度no和价带空穴浓度po 1. 电子浓度 no 在能量 E→E+dE 间隔内的电子数 dN 为： dN=fB(E)gc(E)dE 整个导带的电子数N为： 引入： 利用积分公式： ∴ 电子浓度no： 电子占据导带底Ec 的几率 令： —— 导带的有效状态密度 导带中的电子浓度是 Nc 中有电子占据的 量子态数。 2. 空穴浓度po 价带中的空穴浓度为： 其中 —— 价带的有效状态密度 价带中的空穴浓度等于 Nv 中有空穴占据的 量子态数。 7×1018 4.7×1017 GaAs 6.1×1018 1.04×1019 Ge 1.2×1019 2.8×