复旦集成电路工艺课件-06.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.02 集成电路工艺原理 第五章 热氧化原理 (上) 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 上两节课总结 理论分辨率： 短波长光源 大NA：透镜系统、浸润 小k1：RET及工艺和光刻胶改进 PSM OPC OAI 焦深: SiO2与Si之间完美的界面特性是成就硅时代的主要原因 硅工艺中的一系列重要硅基材料： SiO2：绝缘栅/绝缘/介质材料； Si3N4：介质材料，用作钝化/掩蔽等； 多晶硅：可以掺杂，导电； 硅化物：导电，作为接触和互连…… TEM照片——单晶硅表面热氧化所得非晶二氧化硅薄膜 SiO2的基本性质 通常热氧化生长的SiO2是非晶的 熔点：1732 ?C (晶体结构) 重量密度：2.27 g/cm3 原子密度：2.2×1022 分子/cm3 折射率 (refractive index) n=1.46 介电常数 (dielectric constant) ?＝3.9 可