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半 导 体 器 件 半导体器件是电子电路中的核心器件。 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗、硒，大多数金属氧化物和硫化物等。 半导体在常态下的导电能力非常弱，但在受热、光照、掺杂等条件下，导电能力会有很大增强。 纯净的半导体称为本征半导体，通常具有晶体结构。 如图为硅或锗的二维晶体结构，每个原子最外层的四个价电子分别和相邻的四个原子的价电子形成共价键结构 晶体的共价键结构 在室温（300K）下，少数被束缚的价电子受热激发获得足够的能量，挣脱共价键的束缚而成为自由电子，同时在原位留下一个空位，称为空穴。自由电子和空穴总是成对出现，称为电子-空穴对。自由电子带负电荷，失去电子的原子成为正离子，好像空穴带正电荷一样。 如图为本征半导体电子-空穴对的形成 电子-空穴对的形成 在外加电压的作用下，本征半导体中带负电的自由电子参与导电。 同时随着空穴的出现，临近共价键中的价电子便可以来填补空穴，从而在该价电子所在的位置又产生新空穴，就像空穴在向电子移动的相反方向移动。因而可用空穴移动产生的电流来代表束缚电子移动所产生的电流。 电子和空穴的移动 由上述分析可知：在外电场作用下，半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。 在本征半导体中，一方面产生电子-空穴对，另一方面当一个自由电子和一个空穴相遇复合时形成一个新的共价键。当温度一定时，电子和空穴的产生和复合达到一种动态平衡，电子-空穴对维持一定的浓度。温度升高时，电子-空穴对浓度增大，因此本征半导体的导电性能随温度升高明显增强。 杂质半导体：本征半导体常温下的载流子浓度很低，导电性能很差。其中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著改变。 杂质半导体可分为P（空穴）型和N（电子型）型半导体两大类。 P型半导体：在硅（或锗）晶体中掺入微量的三价元素，如硼，铟等。由于硼等三价元素原子外层只有三个价电子，它与相邻的四个硅原子组成共价键时，因缺少一个价电子而形成一个空位，附近共价键中的价电子会很容易填补这个空位，而在原来价电子处形成一个空穴。 硼等原子因得到一个电子成为负离子，而整个半导体仍呈电中性。 P型半导体 在掺入硼等杂质产生空穴的同时，并不产生新的自由电子，但晶体由于热激发仍会产生少量的电子-空穴对。 P型半导体中空穴数远大于自由电子数，空穴为多数载流子（多子），自由电子为少数载流子（少子），以空穴导电为主。 N型半导体：在硅（或锗）晶体中掺入微量的五价元素，如磷，锑等。由于磷等五价元素原子外层有五个价电子，其中四个分别与相邻的四个硅原子组成共价键，多余的一个价电子很容易成为自由电子。 磷等原子因失去一个电子成为离正子，而整个半导体仍呈电中性。 N型半导体 N型半导体自由电子数量大幅度增加，远大于由于热激发而产生的空穴的数量，自由电子为多子，空穴为少子。以自由电子导电为主。 PN结 1. PN结的形成 在半导体两个不同的区域分别掺入三价和五价杂质元素，在它们的交界处就出现了电子和空穴浓度的差异，N区自由电子浓度很高，而P区内空穴浓度很高，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，即电子和空穴将越过交界面向对方区域扩散。P区的空穴扩散到N区后，与N区的电子复合而消失；N区的自由电子扩散到P区后，与P区的空穴复合而消失。扩散的结果由于P区一边失去空穴，留下带负电的杂质离子；N区一边失去电子，留下带正电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区。 空间电荷区内的载流子因扩散、复合而消耗尽，所以空间电荷区又称为耗尽层。 空间电荷区产生一个由N区指向P区的电场，称为内电场。 多子扩散 内电场形成 内电场对多子的扩散起阻挡作用，对少子（P区的电子和N区的空穴）向对方区域运动起推动作用。 少子在内电场作用下的定向运动称为漂移运动。 多子的扩散和少子的漂移是两种方向相反的运动，当两种运动达到动态平衡时，就形成一定宽度的中间电荷区，即PN结。 2. PN结的单向导电性 （1）外加正向电压 如图所示的PN结正向偏置，P区接电源正极，N区接电源负极 正向偏置时外加电压的电场与结内电场方向相反，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡被打破，外加电场驱使P区的空穴，N区的电子进入空间电荷区，分别和空间电荷区的一部分负离子和一部分正离子中和，使PN结变窄，内电场被消弱。 多子的扩散增强，形成较大的正向电流，此时PN结呈现低电阻值，处于导通状态。 在正向偏置时，由少数载流子形成的漂移电流的方向与扩散电流相反，和正向电流相比，其数值很小，可以忽略不计。 外加反向电压 如图所示的PN结反向偏置，P区接电源负极，N区接电源正极 PN结反向偏置时，外加电压的电场与结内电场方向相同，内电场增强，使多子的扩散难以进行，少子的漂移被加强，PN结内的电流由处支配地位的漂移电流决定