大学物理14-二极管和晶体管.pptVIP

绪 论 半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 3 饱和区 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数 ，? 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 1 稳定电压UZ 稳压管正常工作 反向击穿 时管子两端的电压。 2 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 3 动态电阻 4 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM 5 最大允许耗散功率 PZM UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 晶体管的结构 a 平面型； b 合金型 B E P型硅 N型硅 二氧化碳保护膜 铟球 N型锗 N型硅 C B E C P P 铟球 a b 14.5 半导体三极管 晶体管的结构示意图和表示符号 a NPN型晶体管； a N N C E B P C E T B IB IE IC b B E C P P N E T C B IB IE IC b PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VB VE 集电结反偏 VC VB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VB VE 集电结反偏 VC VB EB RB EC RC 2.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 2. 三极管内部载流子的运动规律 IC ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? 常用公式 若IB 0, 则 IC? ICE0 晶体管电流放大的实验电路 设 EC 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 3. 各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 IB mA IC mA IE mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1 IE IB + IC 符合基尔霍夫定律 2 IC ?? IB ， IC ? IE 3 ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化，是CCCS器件。 + UBE ? I