大学物理3.6半导体传感器.pptVIP

光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。即电源。  工作原理：基于“光生伏特效应”。 光电池实质上是一个大面积的PN结。 三. 外光电效应型光电器件 当光照射到金属或金属氧化物的光电材料上时，光子的能量传给光电材料表面的电子，如果入射到表面的光能使电子获得足够的能量，电子会克服正离子对它的吸引力，脱离材料表面而进入外界空间，这种现象称为外光电效应。 即外光电效应是在光线作用下，电子逸出物体表面的现象。 根据外光电效应做出的光电器件有光电管和光电倍增管。 1、光电管及其基本特性 光电管的伏安特性 光电管的光照特性 2、光电倍增管及其基本特性 光敏晶体管与一般晶体管很相似, 具有两个PN结, 只是它的发射极一边做得很大, 以扩大光的照射面积。大多数光敏晶体管的基极无引出线, 当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时, 集电结就是反向偏压；当光照射在集电结上时, 就会在结附近产生电子-空穴对, 从而形成光电流, 相当于三极管的基极电流。由于基极电流的增加, 因此集电极电流是光生电流的β倍, 所以光敏晶体管有放大作用。  光敏二极管和光敏晶体管的材料几乎都是硅（Si）。 二.光生伏特效应光电器件——光电池 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。 光电池在有光线作用下实质就是电源, 电路中有了这种器件就不需要外加电源。  光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。 它实质上是一个大面积的PN结, 当光照射到PN结的一个面, 例如p型面时, 若光子能量大于半导体材料的禁带宽度, 那么p型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴, 电子空穴对从表面向内迅速扩散, 在结电场的作用下, 最后建立一个与光照强度有关的电动势。  光电池的工作原理 * 光电耦合器件 光电耦合器件是由发光元件（如发光二极管）和光电接收元件合并使用, 以光作为媒介传递信号的光电器件。 光电耦合器中的发光元件通常是半导体的发光二极管, 光电接收元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管或光可控硅等。 根据其结构和用途不同，又可分为用于实现电隔离的光电耦合器和用于检测有无物体的光电开关。  光电耦合器 光电耦合器的发光和接收元件都封装在一个外壳内, 一般有金属封装和塑料封装两种。 耦合器常见的组合形式如图所示。 曲线1表示氧铯阴极光电管的光照特性，光电流与光通量呈线性关系。 曲线2为锑铯阴极的光电管光照特性，它呈非线性关系 * 现代测试技术 3.7.1 霍耳磁敏传感器 （一）霍耳效应 通电的导体或半导体，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。 + I + + + + + + + + + + + － － － － － － Ｂ l w d 霍耳效应原理图 VH 3.7 半导体传感器 （二）霍耳磁敏传感器工作原理 设霍耳片的长度为l，宽度为w，厚度为d。又设电子以均匀的速度v运动，则在垂直方向施加的磁感应强度B的作用下，它受到洛仑兹力 q—电子电量(1.62×10-19C)； v—电于运动速度。 同时，作用于电子的电场力 当达到动态平衡时 霍耳电势VH与 I、B的乘积成正比，而与d成反比。于是可改写成： 电流密度 j=nqv n—N型半导体中的电子浓度 N型半导体 P型半导体 —霍耳系数，由载流材料物理性质决定。ρ—材料电阻率 p—P型半导体中的孔穴浓度 μ—载流子迁移率,μ=v/E,即单位电场强度作用下载流子的平均速度。 金属材料，电子μ很高但ρ很小，绝缘材料，ρ很高但μ很小。故为获得较强霍耳效应，霍耳片全部采用半导体材料制成。 设 KH=RH / d KH—霍耳器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍耳电势的大小。 若磁感应强度B的方向与霍耳器件的平面法线夹角为θ时，霍耳电势应为： VH＝ KH I B VH＝ KH I B cosθ 注意：当控制电流的方向或磁场方向改变时，输出霍耳电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向时，霍耳电势并不改变方向。 霍耳器件片 a)实际结构(mm)；(b)简化结构；(c)等效电路 外形尺寸:6.4×3.1×0.2;有效尺寸：5.4×2.7×0.2 （三）霍耳磁敏传感器（霍耳器件） d s l （b） 2.1 5.4 2.7 A B 0.2 0.5 0.3 C D （a） w 电流极 霍耳电极 R4 A B C D R1 R2 R3