第一章常用半导体器件剖析.pptVIP

双极型半导体三极管 图1.17 双极型三极管的结构 3区3极两个结；e浓b薄. 集电区 用C或c表示 （Collector） 发射区 用E或e表示 （Emitter） 基区 用B或b表示 （Base） 发射结(Je) 集电结(Jc) 双极型半导体三极管的电流分配与控制 图1.18 三极管内部载流子的运动情况 － + － + RC c b e IC IE IB Vcc VBB RB ICBO ICN IBN N P N 发射结正偏，集电结反偏。 双极型半导体三极管的电流分配与控制 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IE。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是IBN。 另外，因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式: IC=ICN+ ICBO IB= IBN－ICBO IE=ICN+ IBN 双极型半导体三极管的电流关系 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 图1.19 三极管的三种组态 共基极直流电流放大系数α: 共发射极直流电流放大系数β: IC=ICN+ICBO= IE+ICBO= (IC+IB)+ICBO 因 ≈1, 所以 ? 1 双极型半导体三极管的特性曲线 输入特性曲线—— iB=f(vBE)? vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE)? iB=const 共发射极交流电流放大系数 ICEO 使特性上翘 可见：三极管是一个“流控流型的器件（CCCC)” 共基极交流电流放大系数 当ICBO和ICEO很小时，?≈?、 ?≈? 特征频率fT 三极管的 ? 值不仅与工作电流有关，而且与 工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的 ? 将会下降。当 ? 下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT 表示。 集电极最大允许电流ICM 如图1.22所示，当集电极电流增加时，? 就要下降，当? 值下降到线性放大区 ? 值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于? 值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。 图1.22 ? 值与IC的关系 集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗: PCM= ICVCB≈ICVCE 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在 计算时往往用VCE取代VCB。 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图1.23。 图1.23 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 例1.1：测量三极管三个电极对地电位如例图 1.1所示，试判断三极管的工作状态。 例图 1.1 三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 例如： 3AX31D、 3DG123C、3DK100B 场效应管 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 场效应三极管从结构上分为两大类： 1.结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transistor) 2.绝缘栅型场效应三极管IG