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图1不同烧结温度下的热导率的温度依赖性
热导率
图不同烧结温度下的热导率的温度依赖性由图中可以看出，热导率随烧结温度的升高而总体趋势增大，这是由于温度升高时，双极扩散显著发生所致。根据文晶粒尺寸小同时晶界明晰通常会得到相对较小的热导率，而烧结温度过低或过高都将影响晶粒尺寸的大小以及晶界状态。
图平行于压力轴和垂直于压力轴方向的电阻率的对比
图 不同烧结温度下的电阻率的温度依赖性为250℃烧结Bi2Te3试样测试方向分别取平行和垂直于压力轴方向时电阻率随温度带变化曲线。由图可知对于SPS单向压力烧结的Bi2Te3材料，电阻率随温度的升高而对于同一种材料不同方向上电阻率有明显差异，平行于压力轴方向的电阻率较高，而垂直于压力轴方向的电阻率较低。可能原因是Bi2Te3这种材料本身具有沿c轴方向的层状结构，因此在c轴方向易发生解理图不同烧结温度下的电阻率的温度依赖性随着烧结温度的升高，更有利于原子扩散移动，有利于空位等缺陷的消除，以至于将降低材料中载流子浓度，但同时缺陷的减少又有利于载流子的迁移率增加，以上两种效果Bi2Te3这种材料
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