第1章半导体器件剖析.ppt

ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O 半导体三极管的主要参数（4） ICUCE=PCM 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 (2~2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 半导体三极管的主要参数（5） {end} * * 二极管电路分析举例（11） （2）当UA=UB=3V时 设D1、D2截止，则等效电路为 由电路，有 UD1=3-（-5）=80 UD2=3-（-5）=80 则D1、D2处于导通状态，电路可等效为 所以，U0=3V UD1 UD2 D1 D2 U0 R 5V 3V 3V D1 D2 U0 R 5V 3V 3V 二极管电路分析举例（12） （3）当UA=3V，UB=0时 设D1、D2截止，则等效电路为 由电路，有 UD1=3-（-5）=80 UD2=0-（-5）=50 则D1、D2处于导通状态，电路可等效为 所以，U0=3V UD1 UD2 D1 D2 U0 R 5V 3V D1 D2 U0 R 5V 3V 出现矛盾！即D1、D2不可能同时导通！！ 合理的情况是：D1导通，D2截止。 D1 D2 U0 R 5V 3V 二极管电路分析举例（13） （4）当UA=0，UB=3V时 所以，U0=3V 同理可得：D1截止，D2导通。 D1 D2 U0 R 5V 3V ?例5 图示电路，D1 D2为理想二极管，D1工作在_________状态， D2工作在_________状态，uao=______。 D1 D2 3V 3 kΩ 6V uao 分析：先将二极管断开，分别计算正向压降，显然UD1=6V ，UD2=9V UD1 UD2 结论：D1截止， D2导通， uao=-3V 二极管电路分析举例（14） {end} 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 最大反向工作电压VRM (3) 反向饱和电流IR (4) 最高工作频率fM IF VRM IR {end} 稳压二极管（Zener Diode)---伏安特性 (a)符号 (b) 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 稳压二极管---稳压二极管主要参数 (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (4)最大耗散功率 PZM (3)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin 稳压二极管---稳压电路（1） 例: VZ=6V,IZmax=25mA,IZmin=5mA,输入电压VI=20V, 电阻R=500Ω. （1） RL=100Ω，Vo=？ 解：设稳压二极管截止，计算二极管的反向压降即VO 稳压二极管工作在反向截止状态 例: VZ=6V,IZmax=25mA,IZmin=5mA,输入电压VI=20V, 电阻R=500Ω. 稳压二极管---稳压电路（2） （2） RL=500Ω，Vo=？ 同理计算二极管的反向压降VO 稳压二极管工作在反向击穿状态即稳压 例: VZ=6V,IZmax=25mA,IZmin=5mA,输入电压VI=20V, 电阻R=500Ω. 稳压二极管---稳压电路（3） （3） RL=1000Ω，Vo=？ 同理计算二极管的反向压降VO 稳压二极管工作在反向击穿状态即稳压 （4） RL开路，稳压管能否稳压？ 例: VZ=6V,IZmax=25mA,IZmin=5mA,输入电压VI=20V, 电阻R=500Ω. 稳压二极管---稳压电路（4） 假设稳压管稳压 稳压管烧毁 若要负载在500?~开路范围内变化时，稳压管都能稳压，怎么办？ 选择R 稳压二极管---稳压电路 (5) 并联式稳压电路 限流电阻 {end} 稳压管稳定电压决定输出电压 半导体三极管(Transistor)的结构(1) N型硅 P N NPN型三极管的结构与符号 c 集电极Collector 发射极Emitter e b 基极Base 集电区 基区 发射区 发射结E结 集电结C结 简化 c b e C结 E结 N P N e c b 半导体三极管又称双极型晶体管,它的基本组成部分是两个靠得很近且背对背排列的PN结。根据排列方式不同，可分为NPN和PNP两种类型。 结构特点 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度 基区宽度很小(μm 数量级)