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制绒间化学品的危害及现场急救措施I 制绒间化学品的危害及现场急救措施II 硅检制绒应知应会 CIB-B 郝宗海 硅检目的 检测不良 不良分类 电阻率 少子寿命 厚度 TTV 尺寸 PN型 崩边 崩点 油污 线痕 台达硅检机全貌 ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ Ⅰ Ⅲ Ⅱ Ⅳ 台达分选主控机界面 检测模组介绍 图一 图三 图二 图一为APV（左）和LPV（右）模组主要检测尺寸、缺角和油污、崩点 图二为SM模组主要检测线痕，图三为UC模组主要检测隐裂及杂质。 Semilab模组 硅检流程 拆盒 上料 下料 填写流程单 退库 手插片 硅检注意事项 线痕 如图2，机械手抓料后，硅片在行走臂上的线痕方向与行走臂垂直。 图2 如图3、4，硅片插入小花篮时线痕方向是平行的（小花篮竖直放置）。 图3 图4 小花篮 硅检操作注意事项 取原材料硅片盒时，双手最多抱两盒。 取、放承片盒时，注意双手抱对角线位置、轻拿轻放。 陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。 制绒原理 利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 ，就称为表面织构化。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。 反应式为： Si+2NaOH