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金屬_半導體接觸理論 場效電晶體FET 電晶體的分類 主要可分為雙極性接面電晶體與場效應電晶體兩大類，一般場效電晶體(Field Effect Transistor，FET)和雙極電晶體一樣，都具有三隻接腳，不過工作原理卻完全不同。 FET的種類 一是逆向偏壓的PN接面，稱為接面場效電晶體(junction field effect transistor，簡稱JFET)。 另一種是閘極金屬、絕緣氧化物和半導體形成類似電容的結構，稱為金屬氧化物半導體場效應電晶體(金氧半場效電晶體metal-oxide-semiconductor field effect transistor，簡稱MOSFET)。 接面型場效應電晶體JFET之構造 VDS 再繼續增加，通道被夾止的長度△L 會略微變大，但和總長度L 相比幾乎可以忽略，和源極連接的導電通道的長度及形狀和VDS 關係不大，也就是說導電通道的電阻在這個操作偏壓範圍是固定的。 閘極與圖5 (d)中之X 點（指在導電通道最靠近被夾止區域空乏區的點）的電位差維持在VP，和VDS 也無關，通道兩端的電位差VXS 維持不變(=VDSS)，所增加的VDS 大部分都降在△L 範圍內之空乏區。綜合上述討論，當VDS 增加到比VGS-VP(=VDSS)大以後，導電通道電阻與其端電壓都與VDS 無關，通過的電流ID，當然也與VDS 無關，故ID 對V