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第7章 光显示材料及器件
* 3. AC-PDP的驱动 由驱动电路、显示控制电路和电源组成。 * 彩色等离子体显示 * PDP一般采用时间调制技术实现有灰度层次的图像显示。 “子场扫描法” * 电致发光显示 电致发光(Electro luminescence, EL)是将电能直接转换成光能的一种物理现象。 电致发光按激发过程不同可分为两大类: 注入电致发光——在半导体PN结加正偏压时产生少数载流子注入,与多数载流子复合发光 。 * 高场电致发光——将发光材料粉末与介质的混合体或单晶薄膜夹持于透明电极板之间,外施电压,由电场直接激励电子与空穴复合而发光,高场电致发光又分交流和直流两种,如粉末型交流电致发光与粉末型直流电致发光。 * * 1985年~1990年,LCD销售额年均增长率达32%。此阶段发展最快的是STN-LCD,它从发明到批量生产仅用了五年时间。 由于STN-LCD具有扫描线多、视角较宽、对比度好等特点 ,很快在大信息容量显示的膝上型、笔记本型、掌上型微机及中英文打字机、图形处理机、电子翻译机及其它办公和通信设备(手机)中获得广泛应用,并成为该时代的主流产品。 1990年销售额15亿美元,占整个LCD市场的83%。 有源矩阵液晶显示器件(AM-LCD) 属于第4代液晶显示器。 普通简单矩阵液晶显示器TN型及STN型的电光特性,对多路、视频运动图像的显示很难满足要求。 有所谓的“交叉效应”。由于每个像素相当于一个电容,必产生串扰。当一个像素被先通时,相邻行,列像素将处于半选通状态。 人们在第一个像素上设计一个非线性的有源器件,使每个像素可以被独立驱动,克服了“交叉效应”。 MIM液晶显示器件的电极排布 有源矩阵液晶显示采用了像质最优的扭曲向列型液晶显示材料。有源矩阵液晶显示根据有源器件的种类分为二端型和三端型两种。 二端型以MIM(金属-绝缘体-金属)二极管阵列为主; 三端型以薄膜晶体管(TFT)为主。 α-SiTFT 属于非晶硅-薄膜晶体管类型的三端有源矩阵液晶显示器件。 它工艺简单, 玻璃基板成本低, 导通比大, 可靠性高, 容易大面积化。 TFT有源矩阵驱动LCD的基本结构 1-显示电极;2-玻璃基板;3-透明电极;4-液晶层; 5-MOSFET阵列;6-基板;7-信号存储电容器;8-FET 同一般液晶显示器类似,两片玻璃板之间封入普通TN型液晶, 不同的是在玻璃基板上要放置扫描线和寻址线(行、列线),在交点上再制作上TFT有源器件和像素电极。上玻璃板是一共用电极,如果是彩色显示,则还要在上面用微细加工方式(染色法,或印刷法)制作上与下面矩阵对应的R、G、B滤色膜。TFT的栅极G接扫描电压主,漏极D接信号电压,源极S接ITO像素电极,与液晶像素串联,液晶像素可以等效成一个电阻RLC和一电容CLC的并联。 TFT有源矩阵显示器件像素等效电路及驱动波形 CGP-分布电容;CST-补偿电容;RON-导通电阻;ROFF-截止电阻 当扫描脉冲加到栅极G时,使D-S导通,内阻变小,信号电压产生大的通态电流ION,并使CLC很快充电到信号电压。 当CLC充电电压均方根值Vrms大于液晶像素的阈值电压Vth时,该像素显示,并通过RLC缓慢放电; 由这样的“存储效应”使一个帧周期内Vrms≥Vth,即显示占空比为1:1。 由于三端器件的通态电流更大,开路电阻更高,开关特性更陡,因此比二端器件的显示性能也更好。 1985年后,由于超扭曲液晶显示器的发明及a-SiTFT液晶显示技术的突破,LCD技术进入了大容量化的新阶段,使便携计算机和液晶电视等新产品得以开发,并迅速商品化。LCD市场需求量大幅度增长。 背照灯 液晶显示器是被动显示器件,本身不会发光,往往工作在透光模式下。 因此,为了了获得高对比度与全色显示,需要采用背照明光源。 由于背照光源的功率是整个器件的90%以上,因此体积和功率是首先要考此的因素。 边光式背光源结构图 目前采用的背照光源主要有: 1)热电致发光板EL 2)平板荧光灯(VFD) 3)冷阴极荧光灯(CCF) 4)平板场发射(FED) 5)有机电致发光(OEL)等。 照明方式又分为边光式与背光式背光式两种。 * 等离子体显示 一、什么是等离子体? 所谓等离子体就是被激发电离气体,达到一定的电离度,气体处于导电状态,这种状态的电离气体就表现出集体行为,即电离气体中每一带电粒子的运动都会影响到其周围带电粒子,同时也受到其他带电粒子的约束。由于电离气体整体行为表现出电中性,也就是电离气体内正负电荷数相等,称这种气体状态为等离子体态。由于它的独特行为与固态、液态、气态都截然不同,故称之为物质第四态。 * 固体 冰
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