半导体物理复习new.docVIP

半导体物理复习 一．平衡载流子与Fermi能级 半导体中的载流子有2种：电子和空穴。在半导体器件中，电子和空穴一般都看作是具有一定有效质量的E∝k 2 。 如果载流子的能量较高，则需要考虑 E（1+ E / Eg） ∝ k 2 ; meff* =（1+ 2 E / Eg）m* . * （施主或受主杂质 + 热激发）→产生载流子：电子来自于施主，空穴来自于受主。 温度对载流子浓度的影响：热激发 ~ 载流子浓度与温度和禁带宽度有指数关系。 若温度较高时，杂质将全电离 → 继而本征激发。 但若温度降低到很低时，载流子将可能回到杂质中心 ~ → 低温半导体器件的开发比较困难。 * E的几率为Fermi分布函数 f (E）；空穴处在价带，占据几率为 1－ f (E) . 一般，掺杂浓度不很高，载流子浓度不很大，分布函数可用Boltzmann分布来近似~ 非简并半导体； 若掺杂浓度很高，载流子浓度很大时，则必须采用Fermi~ 简并(退化)半导体 → 杂质能带 → 有效禁带宽度减小。 * g(E) : 是指能量在E和E+dE间隔内的量子态总数. 对导带 ~ gc(E) = ( 1/ 2π2) ( 2mdn / ?2 )3/2 (E-Ec)1/2 , 电子的态密度有效质量 mdn =（s2 m1 m2 m3 )1/3 ； s是等价能谷数 ( 对GaAs: s=1, mdn = mn ; 对Si和Ge: s = 6和4, mdn =（s2 ml mt2 )1/3 ). 对价带 ~ gv(E) = ( 1/ 2π2) ( 2mdP / ?2 )3/2 (E-Ec)1/2 , 空穴的态密度有效质量 mdP = ( mPl3/2 mPh3/2 )2/3 ； mPl和mPh分别为轻、重空穴的有效质量 . * 半导体中的热平衡载流子浓度: n = ∫Ec f(E) gc(E) dE = Nc F1/2( [EF-Ec]/kT ) , 非简并时 n = Nc exp { - [ (Ec - EF）/ kT ] } = ni exp[(EF – Ei) / kT] . p = ∫Ev [1-f(E)] gv(E) dE = Nv F1/2( [Ev-EF]/kT ) , 非简并时 p = Nv exp { - [ (EF - Ev）/ kT ] } = ni exp[(Ei – EF) /kT] . ：导带的有效态密度 (300K) ：价带的有效态密度 (300K) [计算例] 在硅中掺有As浓度为1016 cm-3, 求出室温下的载流子浓度和Fermi能级的位置. 解: n ≈ ND = 1016 cm-3, p ≈ ni2 / ND = (1.45×1010)2 / 1016 = 2.1 ×104 cm-3. EC – EF ≈ kT ln( NC / ND ) = 0.0259 ln (2.8×1019 / 1016) = 0.206 eV ; EF – Ei = kT ln( n / ni ) ≈ kT ln( ND / ni ) = 0.0259 ln (1016 /1.45×1010) = 0.354 eV . 二．非平衡载流子与准Fermi能级近似 两种非平衡载流子： （1）注入的非平衡载流子；（2）电场加速的热载流子。 准Fermi能级： 因为载流子在一个能带内达到平衡所需要的时间大约 10-10 s, 复合时间 (μs数量级) 要短得多, 故可认为注入到能带内的非平衡载流子与晶格不发生能量交换, . 从而可引入所谓准Fermi能级EFn和EFP来分别描述电子和空穴在能态上的分布: 非平衡电子的Fermi分布函数 fn(E) = { [exp( E – EFn ) / kT] + 1 } -1 , 非平衡空穴的Fermi分布函数 fP(E) = { [exp( EFP – E ) / kT] + 1 } -1 ; 则有