第5章氧化重点.pptVIP

第5章 氧化 硅片上的氧化物可以通过热生长或者淀积的方法产生。在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层。高温氧化工艺发生在硅片制造厂的扩散区域，是硅片进入制造过程的第一步工艺；淀积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源，使它们在腔体中反应，从而在硅片表面形成一层薄膜。本章将介绍氧化的基本工艺技术并阐述热氧化的高温工艺。 由于硅片表面非常平整，使得在硅片上生长或淀积的氧化物主要为层状结构，称之为薄膜。一旦在硅片上形成薄膜，利用掩蔽工艺对薄膜修改，则可以获得槽电容和栅极氧化物等电路元器件设计需要的三维形状。这种在硅表面上做三维形状的修改工艺称为形貌学或表面工艺。 第5章 氧化 通过将硅片曝露在高温的氧气氛围里，能生长氧化物，这是种自然现象。硅常被认为是最普遍应用的半导体衬底材料，一个主要原因就是硅片的这种生长氧化层的能力（另一个主要原因是硅相对高的熔点温度）。用“生长”一词表明：在温度作用下，氧化物从硅半导体材料上生长出来，在生长过程中实际消耗了硅。 工艺中硅曝露需要的热能（如将温度乘以时间）称为热预算（thermal budget）。硅基制造业中需要的热预算正在快速下降，半导体工艺的目标之一是尽量降低硅需要的热能。当器件结构的临界尺寸降到0.18um及其以下时，根据按比例缩放的要求