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用One Cycle控制技术的无整流桥PFC 摘要：常见的用于整流桥输入方式的升压PFC电路承受了很高的传导损耗，用无整流桥的升压技术能够取得更高的效率，这种新电路包含了电压检测、电流检测。结果表明，这种电路能够对效率和EMI有很大改善。 一.引言 由于单开关的CCM 方式的 PFC结构简单，EMI滤波器外形小巧而被广泛应用。此电路在小功率范围内有较低的效率，是因为它有很高的导通损耗和开关损耗。随着结型MOSFET和肖特基二极管的不断发展，PFC电路的开关损耗已经有显著的减小。同时，该电路也存在整流桥的正向压降所带来的高导通损耗，特别是在低电压输入时。 为了减小整流桥的导通损耗，使不同的电路拓扑都相应得到发展。根据这些拓扑，无整流桥的升压技术不需要宽范围的开关，它展现出结构简单和很高的性能。 这种无整流桥的PFC电路，输入端没有整流桥，因而有很低的导通损耗。尽管此电路结构简单，但升压电感的位置在AC一侧，导致很难检测AC边的线电压和电感电流。 与此同时，由于AC边电感结构造成对应线路输入而言的输出浮动，此电路伴有很高的共模噪声。 与平均电流型控制相比，One Cycle控制技术展示出很多优点，它不需要乘法器，不需要输入电压检测，也不需要电感电流检测。因此，One Cycle控制的无整流桥PFC电路是非常有吸引力的。 在此文中，One Cycle控制技术是在无整流桥的PFC电路的应用。关于电压检测和电流检测在无整流桥PFC的One Cycle控制技术中得以解决，具有很高的效率和很好的功率因数校正功能。同时，对EMI也有很好的控制。 二.无整流桥的PFC电路 图1 无整流桥的PFC电路 图2 无整流桥的PFC的等效电路 效电路如图2所示。对于此半周期，MOSFET Q1和升压二极管D1再加上升压电感一起构此电路如图1所示，在AC边设置的相互分离的升压电感组成一种升压结构。半周期的等成了一个升压DC/DC变换器。同时，MOSFET Q2相当于一个普通的二极管来工作。输入电流和输入电压都由此升压变换器控制。 在另外半个周期，工作原理是一样的。因此，在每半个周期，其中一个MOSFET作为有源开关工作，另外一个MOSFET作为二极管工作。这两个MOSFET的驱动信号相同。 表1 传统PFC与无桥的PFC的差别 无整流桥的PFC与普通的PFC的区别见表1。在同一时刻，比较这两个电路的传导通道，无整流桥的PFC电感电流仅仅通过这两个半导体器件，而普通PFC电路的电感电流则通过3个半导体器件。 表1所示，无整流桥的PFC用一个MOSFET的体二极管来代替普通PFC电路的两个较慢恢复的二极管。由于这两个电路都作为升压变换器，因此它们的开关损耗是一样的。 在这两个电路中，尽管效率都有所改善，但导通损耗是不同的。与普通的PFC相比，无整流桥的PFC不仅减低了导通损耗，而且减少了元器件。 为了估计无整流桥的PFC电路效率的提高，从原理分析比较其损耗。此电路所选开关是一个22A，600V的结型MOSFET，升压二极管选择的是GBPC2506W，25A，600V。用这些器件的导通损耗模型的方法画出这些器件的导通损耗曲线。由于电感电流是瞬时的，只能画出这两种器件在90V输入电压和不同的输出功率下的导通损耗曲线。见图3所示。 图3 两种PFC电路二极管损耗比较 图4 两种PFC电路MOS损耗比较 对于整个功率范围，无整流桥的PFC在满功率的水平能将总效率提高1%。考虑到MOSFET的导通电阻很小，用同步整流方式的MOSFET，可以进一步减小损耗。MOSFET的导通损耗的评估是基于其较低的体二极管压降和导通电阻。比较结果见图4，这两种情况的功率损耗相似。 尽管同步整流器在低功率时对损耗有少量改善，在MOSFET温度升高后，这种改善随之消失。因为温度升高，其导通电阻也随之增大。由于同步整流器结构复杂，所以不宜采纳。 三. 无整流桥PFC电路提出的挑战 正如图1所示，无整流桥PFC电路中没有输入的桥式二极管，其升压电感是放置在AC边。由于电路的输入输出没有直接相连，因此，无整流桥PFC电路有输入电压检测、电流检测和抗EMI电路。 电压检测和电流检测相关连去控制无整流桥PFC电路。对于普通的PFC电路，有几种不同的控制方法已经得到开发，例如平均电流型控制、峰值电流型控制、One Cycle控制。 平均电流型控制是最普遍使用的控制方法，因为它性能优越，且易掌握：控制器把输入电压信号和电压环内的输出电压信号的乘积作为电流基准，同时，电流环用来控制电感平均电流，两者的误差放大信号送PWM。 图5 传统PFC的输入电压检测 图6 无桥PFC的电压检测1 One Cycle控制技术是：控制器用电压环的输出电压和电感峰值电流来计算每一个开关周期的占空比