CH1半导体基础重点.ppt

(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 UDS=UGS-Ugs(off) 截止区ID=0 （1）可变电阻区。当UGS不变，UDS由零逐渐增加且较小时，ID随UDS的增加而线性上升，场效应管导电沟道畅通。漏源之间可视为一个线性电阻RDS，这个电阻在UDS较小时，主要由UGS决定，所以此时沟道电阻值近似不变。而对于不同的栅源电压UGS，则有不同的电阻值RDS，故称为可变电阻区。 （2）恒流区（或线性放大区）。图中间部分是恒流区，在此区域ID不随UDS的增加而增加，而是随着UGS的增大而增大，输出特性曲线近似平行于UDS轴，ID受UGS的控制，表现出场效应管电压控制电流的放大作用，场效应管组成的放大电路就工作在这个区域。 ? （3）夹断区。当UGSU GS(off)时，场效应管的导电沟道被耗尽层全部夹断，由于耗尽层电阻极大，因而漏极电流ID几乎为零。此区域类似于三极管输出特性曲线的截止区，在数字电路中常用做开断的开关。 （4）击穿区。当UDS增加到一定值时，漏极电流ID急剧上升，靠近漏极的PN结被击穿，管子不能正常工作，甚至很快被烧坏。 UDS -4V -2.0V -1V UGS=0V mA （V） ID 放 大 区 0 击 穿 区 图3.6 转移特性曲线 当UGS=0时，导电沟道最宽、沟道电阻最小。所以当UDS为某一定值时，漏极电流ID最大，称为饱和漏极电流,用IDSS表示。 当|UGS|值逐渐增大时，PN结上的反向电压也逐渐增大，耗尽层不断加宽，沟道电阻逐渐增大，漏极电流ID逐渐减小。 当UGS=UGS(off)时，沟道全部夹断，ID=0。 绝缘栅型场效应三极管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号见图 01.13。其中： D:为漏极，相当c； G:为栅极，相当b； S:为源极，相当e。 图01.13 N沟道增强型 MOSFET结构示意图 1.4.1 绝缘栅场效应三极管的工作原理 (1)N沟道增强型MOSFET ①结构 根据图01.13， N沟道增强型 MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极， 一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的 绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为 衬底，用符号B表示。 ②工作原理 1．栅源电压UGS的控制作用 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管， 在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若 0＜UGS＜UGS(th)时，通过栅极和 衬底间的电容作用，将靠近栅极 下方的P型半导体中的空穴向下 方排斥，出现了一薄层负离子的 耗尽层。耗尽层中的少子将向表 层运动，但数量有限，不足以形 成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极电流ID。 UGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(UGS)?UDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图01.14。 进一步增加UGS，当UGS＞UGS(th) 时（ UGS(th) 称为开启电压)，由于此 时的栅极电压已经比较强，在靠近 栅极下方的P型半导体表层中聚集较 多的电子，可以形成沟道，将漏极 和源极沟通。如果此时加有漏源电 压，就可以形成漏极电流ID。在栅 极下方形成的导电沟道中的电子， 因与P型半导体的载流子空穴极性 相反，故称为反型层。 随着UGS的继续增加，ID