CVD沉积技术分析.pptVIP

热CVD反应室结构 热CVD的原理和方法 MPCVD设备示意图 微波等离子体增强CVD 微波等离子体增强CVD 微米金刚石薄膜 纳米金刚石薄膜 MPECVD法生长的光学级金刚石膜 多晶Si薄膜 4.1 MPECVD 图11.47至图11.50示出衬底表面吸附氢原子产生的单悬键吸附若干典型甲烷 及其中间态分子和发生脱氢、键合等反应。 4. 等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 4.1 MPECVD 稀释气体的氢原子对CVD金刚石多晶膜的生长起重要作用 ： 1） 氢原子与碳形成的甲烷中，使得碳原子在金刚石亚稳区保持sp3型杂化状态，其驰豫时间足够达到固相基片表面。 2） 氢原子同甲烷可以形成多种中间态的气相分子和集团，促使碳－氢键松动，又使碳原子处于或趋于sp3型及其过渡型的杂化状态，其驰豫时间足够达到固相基片表面。 4. 等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 4.1 MPECVD 3） 氢原子同固相基片表面形成吸附层，降低气相碳源－固相基片的界面能，有利于固相基片表面吸附气相碳源，加速气相碳源脱氢和碳原子从气相—固相的转变。 4） 氢原子实际上成了输送具有sp3型及其过渡型杂化状态的碳原子到气相－固相碳原子的悬键或带氢原子的松动键上脱氢、键合、成核、长大。 5） 氢原子同非金刚石结构的固相碳（如石墨）和气相碳（如多碳烃）转化为甲烷，增大气相碳的浓度。 4. 等离子体增强化