第三章集成电路基本制造技术.pptVIP

微机电系统 第3章 集成电路基本制造技术 3.1 集成电路使用的材料 3.1.1硅材料 ３.1.2 硅片制造 ３.1.3　陶瓷 3.2 薄膜制造，外延生长 3.3 氧化技术 3.3.1 二氧化硅膜的结构 3.3.2. 二氧化硅膜的性质 3.4 掺杂技术 3.５　化学气相淀积 3.5.2 二氧化硅 3.5.3　氮化硅 3.5.5 薄膜层的物理生长方法 （Physical Vapo Doposition ,PVD） 3.6 掩模制造 3.7 光刻工艺 3.7.2 光刻胶的主要性能 ?3.7.3 光刻工艺 3.8 接触与互连 光刻胶的性能指标有感光度、分辨率、粘附性、抗蚀性、针孔密度、留膜率、稳定性等。根据待加工材料的性质，加工图形的线宽及精度要求，曝光方式、腐蚀方法等正确选用光刻胶。 (1)感光度 感光度是表征光刻胶对光线敏感程度的性能指标。它既与光刻胶本身的性质有关，又与具体的光刻工艺条件有关 （2）分辨率 分辨率是光刻胶的又一项重要性能指标，它是指用某种光刻胶光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。分辨率通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目来表示。 （3）粘附性 （4）抗蚀性 湿法刻蚀二氧化硅或金属时，要求光刻胶本身能较长时间经受住酸、碱的浸蚀；干法刻蚀时，要求光刻胶能较长时间经受住等离子体的作用。 （5）针孔密度 单位面积上的针孔数称为针孔密度。光刻胶膜