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集成电路原理与设计重点内容总结 第一章 绪论 摩尔定律：(P4) 集成度大约是每18个月翻一番或者集成度每三年4倍的增长规律就是世界上公认的摩尔定律。 集成度提高原因： 一是特征尺寸不断缩小，大约每三年缩小倍；二是芯片面积不断增大，大约每三年增大1.5倍；三是器件和电路结构的不断改进。 等比例缩小定律：(种类 优缺点)(P7-8) 1.恒定电场等比例缩小规律（简称CE定律） a.器件的所有尺寸都等比例缩小K倍，电源电压也要缩小K倍，衬底掺杂浓度增大K倍，保证器件内部的电场不变。 b.集成度提高K2倍，速度提高K倍，功耗降低K2倍。 c.改变电源电压标准，使用不方便。阈值电压降低，增加了泄漏功耗。 2.恒定电压等比例缩小规律（简称CV定律） a.保持电源电压和阈值电压不变，器件的所有几何尺寸都缩小K倍，衬底掺杂浓度增加K2倍。 b.集成度提高K2倍，速度提高K2倍。 c.功耗增大K倍。内部电场强度增大，载流子漂移速度饱和，限制器件驱动电流的增加。 3.准恒定电场等比例缩小规则(QCE) 器件尺寸将缩小K倍，衬底掺杂浓度增加lK（1lK）倍，而电源电压则只变为原来的l/K倍。是CV和CE的折中。需要高性能取l接近于K，需要低功耗取l接近于1。 写出电路的网表： A BJT AMP VCC 1 0 6 Q1 2 3 0 MQ RC 1 2 680 RB 2 3 20K RL 5 0 1K C1 4 3 10U C2 2 5 10U VI 4 0 AC 1 .MODEL MQ NPN IS=1E-14 +BF=80 RB=50 VAF=100 .OP .END 其中.MODEL为模型语句，用来定义BJT晶体管Q1的类型和参数。 常用器件的端口电极符号 器件名称 端口符号缩写 Q（双极型晶体管） M（MOS场效应管） J（结型场效应管） B（砷化镓场效应管） C（集电极），B（基极），E（发射极），S（衬底） D（漏极），G（栅极），S（源极），B（衬底） D（漏极），G（栅极），S（源极） D（漏极），G（栅极），S（源极） 电路分析类型 .OP 直流工作点分析 .TRAN 瞬态分析 .DC 直流扫描分析 .FOUR 傅里叶分析 .TF 传输函数计算 .MC 蒙特卡罗分析 .SENS 灵敏度分析 .STEP 参数扫描分析 .AC 交流小信号分析 .WCASE 最坏情况分析 .NOISE 噪声分析 .TEMP 温度设置 第二章 集成电路制作工艺 集成电路加工过程中的薄膜：(P15) 热氧化膜、电介质层、外延层、多晶硅、金属薄膜。 光刻胶中正胶和负胶的区别:(P16) 负胶：曝光的光刻胶发生聚合反应，变得坚固，不易去掉。 正胶：在曝光时被光照的光刻胶发生分解反应，在显影时很容易被去掉，而没有被曝光的光刻胶显影后仍然保留。 因此对同样的掩膜版，用负胶和正胶在硅片上得到是图形刚好相反。 N阱和P阱CMOS结构制作过程：(P21-25) N阱：1、衬底硅片的选择 MOS集成电路都选择100晶向的硅片，因为这种硅界面态密度低，缺陷少，迁移率高，有利于提高器件性能。 2、制作n阱 首先，对原始硅片进行热氧化，形成初始氧化层作为阱区注入的掩蔽层。然后，根据n阱的版图进行光刻和刻蚀，在氧化层上开出n阱区窗口。通过注磷在窗口下形成n阱，注入后要进行高温退火，又叫阱区推进，一方面使杂质激活，另一方面使注入杂质达到一定的深度分布。 3、场区氧化 首先，在硅片上用热生长方法形成一薄层SiO2作为缓冲层，它的作用是减少硅和氮化硅之间的应力。然后淀积氮化硅，它的作用是作为场区氧化的掩蔽膜，一方面因为氧或水汽通过氮化硅层的扩散速度极慢，这就有效地阻止了氧到达硅表面；另一方面氮化硅本身的氧化速度极慢，只相当于硅氧化速度的1/25。通过光刻和刻蚀去掉场区的氮化硅和缓冲的二氧化硅。接下来进行热氧化，由于有源区有氮化硅保护，不会被氧化，只在场区通过氧和硅起反应生成二氧化硅。 4、制作硅栅 目前MOS晶体管大多采用高掺杂的多晶硅作为