霍尔开关工作原与应用.docVIP

霍尔开关工作原理 一、原理简介　　当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为　　U=K·I·B/d　　其中K为霍尔系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrentz）的磁感应强度，d是薄片的厚度。　　由此可见，霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。　　霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件，它是在霍尔效应原理的基础上，利用集成封装和组装工艺制作而成，它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号，同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。　　霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的，当B值达到一定的程度（如B1）时，霍尔开关内部的触发器翻转，霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出，和接近开关类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型（双极性）、双信号输出之分。　　霍尔开关具有无触电、低功耗、长使用寿命、响应频率高等特点，内部采用环氧树脂封灌成一体化，所以能在各类恶劣环境下可靠的工作。霍尔开关可应用于接近开关，压力开关，里程表等，作为一种新型的电器配件。　　二、内部原理图　　 　　　　三、输入/输出的转移特性　　 霍尔集成电路的应用 218.94.136.* 1楼 1?引言? ?????霍尔集成电路是一种磁敏传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔集成电路以霍尔效应为其工作基础。? 霍尔集成电路具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。? ?????按照霍尔集成电路的功能可将它们分为:霍尔线性集成电路和霍尔开关集成电路。前者输出模拟量，后者输出数字量。? 霍尔线性集成电路的精度高、线性度好；霍尔开关集成电路无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。? ????通过霍尔集成电路将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。? 2??霍尔效应和霍尔集成电路? 2.1??霍尔效应? 如图1所示，在一块通电的半导体薄片上，加上和片子表面垂直的磁场B，在薄片的横向两侧会出现一个电压，如图1中的VH，这种现象就是霍尔效应，是由科学家爱德文?霍尔在1879年发现的。VH称为霍尔电压。? ?? 2.2??霍尔器件? ????霍尔器件分为:霍尔元件和霍尔集成电路两大类，前者是一个简单的霍尔片，使用时常常需要将获得的霍尔电压进行放大。后者将霍尔片和它的信号处理电路集成在同一个芯片上。? 2.2.1??霍尔元件? ????在片子上作四个电极，其中C1、C2间通以工作电流I，C1、C2称为电流电极，C3、C4间取出霍尔电压VH，C3、C4称为敏感电极。将各个电极焊上引线，并将片子用塑料封装起来，就形成了一个完整的霍尔元件（又称霍尔片）。 霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。? ?InSb和GaAs霍尔元件输出特性见图1 ? 霍尔元件的输出特性? 这些霍尔元件大量用于直流无刷电机和测磁仪表。? 2.2.2??霍尔集成电路 ??霍尔线性集成电路 ?????它由霍尔元件、差分放大器和射极跟随器组成。其输出电压和加在霍尔元件上的磁感强度B成比例，它的功能框图和输出特性示于图2和图3。? 这类电路有很高的灵敏度和优良的线性度，适用于各种磁场检测。霍尔线性电路的性能参数见表3。? ? ??图2??霍尔线性电路UGN3501的磁电转换特性曲线 ? ?图3??霍尔线性电路的功能框图? ?? 型号 Vcc V 线性范围mT 工作温度 ℃ 灵敏度 S/mV/mT 静态输出电压Vo/V min mid max min mid max UGN3501 8～12 ±100 －20～＋85 3.5 7.0 － 2.5 3.6 5.0 UGN3503 4.5～6 ±90 －20～＋85 7.5 13.5 30.0 2.25 2.5 2.75 型号??IOUT/mA??Ro/kΩ??Icc/mA??乘积灵敏度V/A?0.1T??输出形式??引脚排列??外形结构?? typ??max??1??2??3??4?? UGN3501??4.0??