电子材料物理2012复习提纲.docVIP

《电子材料物理》复习提纲 电子材料的结构 晶体的结构与对称性 理解点阵结构与晶体结构之间的关系，能够根据晶体结构画出点阵图。掌握晶胞的基本概念，并会计算晶胞中结点的个数；熟悉七大晶系的特征。理解4种晶胞类型、7大晶系、14种点阵类型、32种点群和230 种空间群之间的相互联系。 掌握晶体的宏观对称操作和微观对称操作，对于常见立方结构的晶体能够找出其中的对称操作元素；掌握点群符号、空间群符号的含义以及空间群符号向同型点群符号的转变。 2. 典型晶体结构 掌握密堆积，配位数，电负性等基本概念；掌握物质理论密度的计算方法；理解鲍林规则的主要内容；掌握典型离子晶体结构的类型及结构特征（重点AX型，钙钛矿型，正尖晶石型）。 晶体中的缺陷与扩散 熟悉点缺陷的定义及分类，掌握点缺陷Kroger-Vink符号的书写及表示的含义，熟悉点缺陷形成的准化学反应方程式的书写原则，掌握热缺陷和MO型金属氧化物杂质缺陷准化学反应方程式的书写，并能根据质量作用定律计算平衡状态下缺陷的浓度。 电子材料的电导 掌握表征电导的物理参数及相关公式，掌握电导的分类及相应的特征物理效应；熟悉各种散射机制对迁移率的影响规律。 对于金属氧化物半导体，熟悉杂质缺陷和组分缺陷对半导体电导性能的影响，能利用缺陷准化学反应方程式和质量作用定律来讨论组分缺陷其电导率与氧分压的关系； 对于共价键半导体，熟练计算本征半导体和杂质半导体的电导率。 熟悉离子电导的影响因素与能斯特-爱因斯坦方程，熟悉稳定型ZrO2氧传感器的工作原理； 掌握界面电导中的晶界效应，根据晶界效应能对压敏效应以及电阻的正温度系数（PTC）效应的形成机理作出合理解释。 电子材料的介电性能 介质的极化 理解极化、极化率、极化强度、电偶极矩等基本概念；掌握介质的极化类型及其特征。理解克劳修斯-莫索蒂方程，并能根据各种极化形式极化率大小，计算直流电场下的介电常数。 交变电场下介质的极化损耗 掌握介质损耗的定义、产生的形式及表示方法；熟悉复介电常数和复电导率；掌握德拜方程以及复介电常数的实部与虚部、介质损耗与温度、频率的关系 铁电性和压电性 掌握铁电体、铁电畴、电滞回线，熟悉铁电体的重要特征；掌握位移型铁电体产生自发极化的微观机理 熟悉压电性、热释电性及其与晶体结构的关系。 第五章 电子材料的磁学性能 1. 原子磁矩 熟悉电子磁矩与角动量之间的关系，根据量子力学模型理解物质原子磁矩的产生机理；根据原子核外电子排布式，会判断对原子磁矩有贡献的电子壳层（磁性壳层）；根据洪德规则，掌握自由原子磁矩计算方法。理解物质中d轨道电子在晶体场作用下发生的轨道角动量冻结，掌握晶体中3d族离子的离子磁矩计算方法。 2. 物质的磁性 理解物质的各种磁性（抗磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性及亚铁磁性）产生的物理机理、特征及代表性物质，熟悉铁磁体、反铁磁体和亚铁磁体中原子磁矩有序排列的特点和自发磁化产生的原因，并理解原子磁矩有序排列的物理本质——直接交换作用和超交换作用。 熟悉铁氧体的分类，掌握尖晶石型铁氧体（正、反及混合型）的化学式和离子分布式的书写 ；掌握反尖晶石铁氧体分子磁矩及饱和磁化强度的计算。 3. 磁畴及磁化 理解磁畴产生的原因，理解磁化过程中的磁化机制，掌握技术磁化和磁损耗的基本概念，比较静态磁滞回线和动态磁滞回线的异同，并能分析两种磁化方式产生的磁损耗的类型以及降低磁损耗的方法。