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江崎二极管 Tunnel Diode 摘要： 江崎二极管是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管，在低噪声放大、振荡、卫星微波设备等领域有所应用。 本文讲述了江崎二极管（隧道二极管）的简单简介、发明者和它的伏安特性，对隧道效应及其原理也进行简单阐述。随着科技的发展，江崎二极管将在各方面得以广泛的应用和发展。 关键词： 隧道效应； ； ； 应用与发展隧道二极管的图片 隧道二极管在电路中的表示 江崎二极管也是双端子有源器件。其主要参数为峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。 江崎二极管通常是在重掺杂 N型（或 P型）的半导体片上用快速合金工艺形成高掺杂的PN结而制成的；其掺杂浓度必须使PN结能带图中费米能级进入N型区的导带和P型区的价带；PN结的厚度还必须足够薄（150埃左右），使电子能够直接从N型层穿透PN结势垒进入P型层。这样的结又称隧道结。 费米能级Fermi level 反映电子在能带中填充能级水平高低的一个参数。 如果一个能带中的某一个能级的能量设为E，则该能级被电子占据的概率是符合一个函数规律的即为f（E），f（E）称为费米函数。当f（E） 1/2时，得出的E的值对应的能级为费米能级。一般近似的认为费米能级一下的能级都被电子所填充。 （quantum tunneling）产生隧道效应的原因是电子的波动性。按照，在低速情况下，具有（）E的电子的波长 （其中，h——；m——电子质量；E——的动能） 在势垒V前：若E V，它进入势垒V区时，将波长改变为 若E V时，虽不能形成有一定波长的波动，但电子仍能进入V区的一定深度。当该势垒区很窄时，即使是动能E小于势垒V，也会有一部分电子穿透V区而自身动能E不变。换言之，在E V时，电子入射势垒就一定有电子波存在，但也有透射波存在。 经典认为，物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。例如骑过小坡，先用力骑，如果坡很低，不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高，不蹬自行车，车到一半就停住，然后退回去。 量子力学则认为，即使粒子能量小于阈值能量，很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹，还会有一些粒子能过去，好像有一个隧道，故名隧道效应。可见，宏观上的确定性在微观上往往就具有不确定性。虽然在通常的情况下，隧道效应并不影响经典的宏观效应，因为隧穿几率极小，但在某些特定的条件下宏观的隧道效应也会出现。 【导带】conduction band是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带 valence band 是满带 见能带理论 ，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带 forbidden band/band gap 进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。满带（filled band）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。在晶体中电子的运动状态与孤立原子的电子状态有所不同。由于电子的共有化运动。原子中每一电子所在能级都分裂为能带。　　如在原子中一样，晶体中电子的能量状态也遵守能量最小原理和泡利不相容原理。内层能级所分裂的允带总是被电子所占满，然后在占据更高的外面一层允带。被电子占满的允带称为满带。（）峰点电压U，约几十毫伏，谷点电压Uv，约几百毫伏 （）峰点电流Ip，约几毫安，谷点电流Iv约几百微安 （）峰谷电流比，约为5-6，越大越好 （）谷点电容Cv，几微法至几十微法，越小越好隧道二极管的伏安特性 Ge GaAs Si IP/IV 10－15 10－20 3－5 VF（mV） 40－70 90－120 80－100 VV（mV） 250－350 450－600 400－500 表4.3各种材料的隧道二极管的典型特性 5、江崎二极管的优缺点 优点：（）负微分电阻（负阻）（）（）（）（）（）