电子科大836专业复试提纲.docVIP

002电子工程学院 考试科目 复试 模拟电路 考试形式 笔试（闭卷） 考试时间 120分钟 考试总分 200分（推免生复试100分） 一、总体要求 《模拟电路》要求掌握半导体器件：晶体二极管、双极型晶体三极管（BJT）和场效应晶体三极管（FET）的工作原理；掌握二极管单向导电性的基本应用和反向击穿特性及其应用；掌握BJT和FET基本放大器的小信号等效电路分析方法，并应用于实用电路的工程估算；理解放大器的频率特性概念及其描述，根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率；掌握模拟IC中重要单元电路，如差动放大器、互补推挽输出电路等的分析计算方法；掌握负反馈放大电路的工作原理和分析方法；能用理想运放分析法分析集成运放构成的信号运算电路；掌握直流电源基本概念及其应用。 二、内容及比例 A 半导体材料及二极管 1、了解半导体的基本知识 本征半导体与杂质半导体（P型与N型）；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN结的形成（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；PN结的单向导电特性；不对称PN结。 2、掌握二极管的基本知识 二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程；二极管伏安特性曲线及其温度特性；二极管导通电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻（估算式）；硅管与锗管的区别。 3、二极管应用 掌握单向导电特性应用：整流与限幅。能分析简单二极管电路。 正向导通特性应用：恒压源模型及小信号模型。 反向击穿特性及应用：了解反向击穿现象；掌握稳压管工作原理及电路。 了解电容效应及应用：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。 B 双极型晶体三极管（BJT） 1、理解BJT工作原理 NPN与PNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（掌握直流传输方程，，，ICBO，ICEO的概念）；放大偏置时的vBE、vCE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应）；BJT的截止与饱和状态及特点。 2、BJT静态伏安特性曲线 理解共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。 3、BJT参数 理解 、、 、 、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义 4、混合 模型 理解完整模型和了解模型参数的物理含义。 熟练掌握两种简化模型（gm参数和 参数模型）及其模型参数的计算方法。 C BJT放大电路 1、理解放大器的一些基本概念 信号源（内阻，源电压，源电流）；负载电阻；输入输出电压（电流）；耦合电容与旁路电容；直流通路与交流通路；交流地；工作点；小信号放大的波形演示。 2、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法 工作点的估算；直流负载线；稳基流电路；基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。 3、BJT三种基本组态放大器（中频段） 熟练掌握小信号放大器指标及其意义：端增益、源增益、输入与输出电阻。 掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。 掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。 4、多级放大器 理解级间耦合方式；了解直流放大器的特殊问题；掌握放大器通用模型；掌握多级放大器指标计算。 D MOSFET及其放大电路 1、FET原理 了解FET的分类、电路符号；了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理；放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。 2、FET特性曲线 以N沟道FET（包括JFET和MOSFET）为重点，理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。 3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置） 掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。 4、FET的小信号模型 理解gm的含义及计算式，理解rds含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。 5、FET的CS和CD组态放大器 熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。 E 模拟集成单元电路 1、恒流源 熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标；理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点；熟练掌握有源负载放大器工作原理。 2、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法 差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系）；各种差放电路；差放工作点估算；差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric，Ro）及用单边等效电路法求指标，差放抑制零漂的原因；了解差放的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。 3、功率输出电路 了解功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点；理解乙类功放的交越失真及克服方法。 掌握互补功放的电路原理及满激励指标（效率、管耗、电源功率）的计算；理解功率管极限参数（ICM，PCM，BVCEO）；理解复合管的连接方式。 F 放大器的频率响应 1、放大器频率响应的概念及描