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第二章 集成运算放大器 题3.2.1 某集成运放的一个偏置电路如图题3.2.1所示，设T1、T2管的参数完全相同。问： 1 T1、T2和R组成什么电路？ 2 IC2与IREF有什么关系？写出IC2的表达式。 图题3.2.1 解： 1 T1、T2和R2组成基本镜像电流源电路 2 题3.2.2 在图题3.2.2所示的差分放大电路中，已知晶体管的 80，rbe 2 k 。 1 求输入电阻Ri和输出电阻Ro； 2 求差模电压放大倍数。 图题3.2.2 解： 1 Ri 2 rbe+Re 2× 2+0.05 4.1 kΩ Ro 2Rc 10 kΩ 2 题3.2.3 在图题3.2.3所示的差动放大电路中，设T1、T2管特性对称， 1 2 100，VBE 0.7V，且rbb′ 200 ，其余参数如图中所示。 1 计算T1、T2管的静态电流ICQ和静态电压VCEQ，若将Rc1短路，其它参数不变，则T1、T2管的静态电流和电压如何变化？ 2 计算差模输入电阻Rid。当从单端（c2）输出时的差模电压放大倍数 ?； 3 当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数和共模抑制比KCMR； 4 当vI1 105 mV，vI2 95 mV时，问vC2相对于静态值变化了多少？e点电位vE变化了多少？ 解： 1 求静态工作点： 若将Rc1短路，则 （不变） （不变） 2 计算差模输入电阻和差模电压放大倍数： 3 求共模电压放大倍数和共模抑制比： （即36.5dB） 4 当vI1 105 mV，vI2 95 mV时， 所以，VO2相对于静态值增加了285 mV。 由于E点在差模等效电路中交流接地，在共模等效电路中VE随共模输入电压的变化而变化（射极跟随器），所以，，即e点电位增加了100 mV。 题3.2.4 差分放大电路如图题3.2.4所示，设各晶体管的 100，VBE 0.7V，且rbe1 rbe2 3 k ，电流源IQ 2mA，R 1 M ，差分放大电路从c2端输出。 1 计算静态工作点（IC1Q，VC2Q和VEQ）； 2 计算差模电压放大倍数，差模输入电阻Rid和输出电阻Ro； 3 计算共模电压放大倍数和共模抑制比KCMR； 4 若vI1 20sin t mV，vI2 0，试画出vC2和vE的波形，并在图上标明静态分量和动态分量的幅值大小，指出其动态分量与输入电压之间的相位关系。 图题3.2.4 解： 1 计算静态工作点： 2 计算差模电压放大倍数，输入电阻和输出电阻： 3 计算共模电压放大倍数和共模抑制比： （即88dB） 4 若vI1 20sin t mV，vI2 0，则 （V） （V） vC2和vE的波形如图3.2.4所示，它们的动态分量与输入电压vI1之间都相位相同。 图3.2.4 题3.2.5 FET组成的差分放大电路如图题3.2.5所示。已知JFET的gm 2 mS，rds 20 k 。 1 求双端输出时的差模电压放大倍数； 2 求单端输出时的差模电压放大倍数、共模电压放大倍数和共模抑制比KCMR； 图题3.2.5 解： 1 双端输出时， 2 单端输出时， （即26.3 dB） 题3.2.6 采用射极恒流源的差分放大电路如图题3.2.6所示。设差放管T1、T2特性对称， 1 2 50，rbb′ 300 ，T3管 3 50，rce3 100 k ，电位器Rw的滑动端置于中心位置，其余元件参数如图中所示。 1 求静态电流ICQ1、ICQ2、ICQ3和静态电压VOQ； 2 计算差模电压放大倍数，输入电阻Rid和输出电阻Ro； 3 计算共模电压放大倍数和共模抑制比KCMR； 4 若vI1 0.02sin t V，vI2 0，画出vO的波形，并标明静态分量和动态分量的幅值大小，指出其动态分量与输入电压之间的相位关系。 图题3.2.6 解： 1 求静态工作点： 2 计算差模性能指标： Rid 2 Rb+rbe1 + 1+β Rw 2× 5+2.2 +51×0.1 19.5 kΩ Ro Rc 10 kΩ 3 计算共模性能指标： （即72.6 dB） 4 若vI1 0.02sin t V，vI2 0时，则 vO波形如图所示，其动态分量与vI1之间相位相同。 题3.2.7 在图题3.2.7所示电路中，设各晶体管均为硅管， 100，rbb′ 200 。 1 为使电路在静态时输出直流电位VOQ 0，Rc2应选多大？ 2 求电路的差模电压放大倍数； 3 若负电源（－12V）端改接公共地，分析各管工作状态及VO的静态值。 图题3.2.7 解： 1