计算机硬件之CMOS门电路详细分析.ppt

3.2.9 CMOS传输门 双向模拟开关 电路 C C’ νI TN Tp 传输门 0 1 0~+VDD 截止 截止 断开 1 0 0~+ VDD-VT 导通 截止 导通 1 0 +VT ~ +VDD 截止 导通 导通 3.2.9 CMOS传输门 双向模拟开关 * 逻辑符号 υI / υO υo/ υI C 等效电路 数据选择器 1 C 0 TG1导通, TG2断开，L X TG2导通, TG1断开，L Y 2 C 1 3.2.9 CMOS传输门—应用 1 2 * 作业5： 1、预习TTL门电路。 2、复习MOS门电路。 数字电子技术基础（4） 主 讲：吴玉新 手 机: 1座机电话号码55 时 间：2014-10-23 第三章 逻辑门电路 3.1 简介 3.2 基本CMOS逻辑门电路 3.3 CMOS逻辑门电路的不同输出结构及参数 3.5 TTL逻辑门电路 3.7 逻辑描述中的几个问题 3.8 逻辑门电路使用中的几个实际问题 1 、门电路:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路,常用的门电路有与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门、与或非门等。 2、 逻辑门电路的分类 二极管门电路 三极管门电路 TTL门电路 MOS门电路 PMOS门 CMOS门 逻辑门电路 分立门电路 集成门电路 NMOS门 3.1 概述 一、 数字集成电路简介 数字集成电路按规模分为 ≤100/片 （100～1000）/片 103~ 105 /片 105 以上/片 按导电类型可分为 3.1 概述 1）CMOS集成电路:主导地位、功耗低 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路 4000系列 74HC 74HCT 74AHC 74AHCT 速度慢 与TTL不兼容 抗干扰 功耗低 74LVC 74AUC 速度加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 速度两倍于74HC 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低 低 超低 电压 速度更加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰功耗低 74系列 74LS系列 74AS系列 74ALS 2）TTL 集成电路:最早、最成熟、速度快 曾广泛应用于中大规模集成电路 3、CMOS和TTL介绍 3.1 概述 四、理想的开关元件 接通状态：电阻为0 流过开关的电流完全由外电路决定 断开状态：阻抗无穷大 流过开关的电流为0 断开与接通间的转换在瞬间完成 3.1 概述 图1高低电平实现原理电路 3.2 CMOS门电路（Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor） 3.2.1 MOS场效应管 3.2.2 MOS开关及等效电路 3.2.3 CMOS反相器 3.2.4 CMOS与非门 3.2.5 CMOS或非门 3.2.6 CMOS异或门 3.2.7 COMS漏极开路门（OD门） 3.2.8 三态输出门 3.2.9 CMOS传输门 3.2.10 NMOS门电路（自学） 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 MOS 特点 单极型器件 一种载流子导电 ； 输入电阻高达107 ~109 ? ； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 3.4.1 场效应管—分类 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 图1：N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图与符号 3.2.1 MOS场效应管—结构与符号 3.2.2 MOS开关及其等效电路 ：MOS管工作在可变电阻区，输出低电平 : MOS管截止， 输出高电平 当υI VT 3 MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。 4 Ron约在1KΩ以内，νI足够大时，Ron为25-200Ω。 MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输出为低电平。 MOS管截止，相当于开关“断开”,输出为高电平。 1 当输入为低电平时： 2 当输入为高电平时： 输出电压的变化滞后于输入电压的变化 3.2.2 MOS开关及其等效电路 3.2.3 CMOS 反相器—工作原理 A L 1 +VDD +10V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +10V 设：VTN 2 V VTP - 2 V 逻辑表达式 特点： 1、静态功耗低，几乎为零 2、导通电阻低，截止电阻高 3、开关速度快，负载能力强 4、输入电阻高 3.2.3 CMOS反相器—电压传输特性和电流传输特性 VTN 电压传输特性： 电流