第4章热电探测器件.pptVIP

构成温差电偶的材料既可是金属，也可是半导体。结构上既可以是线、条状的实体，也可以是利用真空沉积技术或光刻技术制成的薄膜。 实体型的温差电偶多用于测温，薄膜型的温差电堆（由许多个温差电偶串联而成）多用于测量辐射，例如，用来标定各类光源，测量各种辐射量，作为红外分光光度计或红外光谱仪的辐射接收元件等。 温差电偶接收辐射一端为热瑞，另一端为冷端。为了提高吸收系数，在热端都装有涂黑的金箔。 温差电偶（堆）的原理性结构图 4.3.2 温差电偶（堆）的原理 由半导体材料构成的温差电偶，热端接收辐射产生温升，半导体中载流子动能增加。从而，多数载流子要从热端向冷端扩散，结果P型材料热端带负电，冷端带正电；而N型材料情况正好相反。温差电势为： 温差电势形成的物理过程 为比例系数，称塞贝克常数，也称温差电势率，单位为V/℃； 为温度增量。 频率为 、功率为 的交变辐射入射到测辐射热电偶的光敏面时，热节点温度变化的幅值为： ?其中： 测辐射热电偶的温差电势的幅值为： 选择赛贝克系数 高的材料，并将测辐射热电偶的 光敏面涂黑增加吸收率 ，从而提高响应率。 将测辐射热电偶置于真空可降低热导 ，从而提高 响应率。但同时会增加响应时间。 为了提高灵敏度，并使工作稳定，常把温差电偶或温差电堆放在真空的外壳里。 4.3.3 真空温差电偶的主要参量 1. 响应率（灵敏度）R 在交变情况下，调制频率低时响应率高。减小调制频率ω和减小时间常数τT 都有利于提高响应率，可是ω与τT 是矛盾的，所以，响应率与带宽之积为一常数的结论，对于温差电偶也成立。 温差电偶的时间常数多为毫秒量级，带宽较窄。多用于测量恒定的辐射或低频辐射。只有少数时间常数小的器件才适用于测量中、高频辐射。 限制热电探测器最小可探测功率的主要因素是热电偶光敏面温度起伏产生的温度噪声和热电偶欧姆电阻的热噪声。最小可探测功率为： 理想的热电探测器件，噪声等效功率为10-11W数量级。而温差电堆，常温、理想情况下噪声等效功率可达10-10W数量级。 2. 噪声等效功率 几种不致冷的热电探测器的性能 1-样品? 2、6-温差电堆? 3-高莱元件4-红外传感元件? 5-硫酸三甘肽热释电探测器7-热敏电阻? 8-钽酸锂热释电探测器9-铌酸钦热释电探测器? 10-陶瓷热释电探测器11-薄膜测热辐射计 由于薄膜技术的发展，已经能够制作出价格低廉的温差电堆，可以制成各种复杂的阵列，且性能可靠。例如用锑、铋材料薄膜制成的器件，不仅具有金属丝温差电堆的某些优点，还有较高的响应率 图中曲线6表示锑铋蒸发薄膜的温差电堆，它的性能虽然比某些热电探测器件低，但它坚固，容易制作，既可以制成单个元件，也可以制成超过100个单元的探测器阵列。因此，它的应用很广泛，已成功地应用于某些航天仪器，包括星际航行仪器。 由半导体材料制成的温差电堆，一般都很脆弱，容易破碎，使用时应避免振动。 额定功率小，入射辐射不能很强，应避免通过较大的电流，一般多为微安级。检验时，不宜使用欧姆表测量，免得表内电源烧毁元件中的金箔。 保存时不要使输出端短路，以防因电火花等电磁干扰产生的感应电流烧毁元件。另外，工作时环境温度不宜超过60℃。 4.3.4 使用注意事项 光谱仪的校准（传统、常见） 激光测量 空间探测 4.3.5 主要应用 热电偶温度计 热电偶校验仪 / 温度计 热电探测器的一些参数 物 质 截止波长 ( um ) 工作温度 ( K ) 响应度 (VW-1) NEP (W) D* (cm.Hz1/2W-1) τ (ms) 半导体热电偶 50 300 5 3×109 10 金属薄膜热电偶 50 300 5×10-6 1×106 3×10-4 薄膜热电偶 50 300 100 3×108 0.1 测辐射热敏电阻 300 300 1000 2×108 1 测辐射低温锗 1000 4 2×104 7×10-13 0.3 高莱管 1000 300 106 2×10-10 10 热释电TGS 300 300 103 1×10-10 1×109 1 热释电LiTaO3 500 300 106 1×10-9 1×108 1×10-4 　 热电器件的共同特点是，光谱响应范围宽，从紫外到毫米量级