E.螺线管磁场的绘.05.docVIP

实验名称 螺线管磁场的描绘 一、前言 霍耳效应是德国物理学家霍耳于1879年在他的导师罗兰指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中得到了广泛应用。 利用半导体材料制成的霍耳元件，特别是测量元件，广泛应用于工业自动化和电子技术等方面。由于霍耳元件的面积可以做得很小，所以可用它测量某点或缝隙中的磁场。此外，还可以利用这一效应来测量半导体中的载流子浓度及判别半导体的类型等。近年来霍耳效应得到了重要发展，冯·克利青在极强磁场和极低温度下观察到了量子霍耳效应，它的应用大大提高了有关基本常数测量的准确性。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍耳器件，会有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验，对今后的工作将大有益处。 二、教学目标 了解霍尔效应产生的机理，掌握测试霍尔器件的工作特性。 掌握用霍尔元件测量磁场的原理和方法。 学习用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。 学习用霍尔效应判别霍尔片载流子类型。 三、教学重点 霍尔元件测量磁场的原理和方法。 四、教学难点 霍尔效应产生的机理。霍尔片载流子类型判定。 五、实验原理 如右图所示，把一，厚的长方形半导体薄片放入磁场中，沿轴正向，半导体薄片平面与磁场垂直，薄片的四个侧面分别引出两对电极（、和、），径电极、通以直流电流，在、极所在侧面产生电势差现象称为霍尔效应电势差叫做霍尔电势差，小薄片霍尔片。 假设霍尔片是由型半导体材料制成的，其载流子为电子，在电极、上通过的电流由极进入，极出来，则片中载流子（电子）的运动方向与电流的方向相反运动的载流子，电量为，在磁场中要受到洛仑兹力 （1） 电子在的作用下，在由→运动的过程中，同时要向极所在的侧面偏转（即向下方偏转），结果使下侧面积聚电子而带负电，相应的上侧面（极所在侧面）带正电，在上下两侧面之间就形成电势差。薄片中电子在受到作用的同时，要受到霍尔电压产生的霍尔电场的作用，方向如上右图所示。 运动电子所受到的霍尔电场力的方向与的方向正好相反时，则有 （2） 此时电子受力为零达到稳定状态，侧面运动，使、 （3） 因垂直EH=，其中是载流子的平均速度霍尔电压为 （4） 设薄片中电子浓度为，可求得，所以 （5） 式中称为霍尔的灵敏度。 将改写得 （6） 由（6）式可看出，若已知霍尔电流霍尔电压的大小和霍尔元件的灵敏度，就可以算出磁感应强度。，进而判断霍尔元件材料的导电类型、载流子浓度等参数。 2、霍尔电压测量中的附加电势差及其减小误差的方法 实际测量时所测得的电压不只是，还包括其他因素带来的附加电压，爱廷豪森电势差，能斯脱电势差和里纪-勒杜克电势差。 (1) 不等势电压 由横向电极位置不对称而产生的电压降， 它与外磁场无关，仅与工作电流的方向有关。 (2) 爱廷豪森效应 从微观来看，当霍耳电压达到一个稳定值时，速度为的载流子的运动达到动态平衡。但从统计的观点看，元件中速度大于和小于的载流子也有。因速度大的载流子所受的洛仑兹力大于电场力，而速度小的载流子所受的洛仑兹力小于电场力，因而速度大的载流子会聚集在元件的一侧，而速度小的载流子聚集在另一侧，又因速度大的载流子的能量大，所以有快速粒子聚集的一侧温度高于另一侧。这种由于温差而产生电压的现象称为爱廷豪森效应。该电压用表示，它不仅与外磁场有关，还与电流有关。 (3) 能斯脱效应 在元件上接出引线时，不可能做到接触电阻完全相同。当电流通过不同接触电阻时会产生不同的焦耳热，并因温差产生一个附加电压，这就是能斯脱效应。它与电流无关，只与外磁场有关。 (4) 里记-勒杜克效应 由能斯脱效应产生的电流也有爱廷豪森效应，由此而产生附加电压，称为里记-勒杜克效应。与无关，只与外磁场有关。 根据其产生的原因及特点，测量时和可改变和的方向的方法，抵消的影响。例如测量时首先任取某一方向的和为正，当改变它们的方向时为负，保持的数值不变，取（IS+，B+）、（IS-、B+）、（IS+、B-）、（IS-，B-）四种条件进行测量 从上述结果中消去V0，VN和VRL，得到 一般地比小得多，在误差范围内可以忽略不计 在实际测量中，和相对于和符号相反，故取 六、实验仪器 TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪。 1、实验介绍如图所示，探杆固定在二维（，方向）调节支架上。其中方向调节支架通过旋钮调节探杆中心轴线与螺线管内孔轴线位置，应使之重合。方向调节支架通过旋钮来调节探杆的轴向位置，其位置可通过标尺读出以相距螺线管两端口等远的中心位置为坐标原点，则探头离中心的距离为。 位置 右端 中心 左端 X1（cm） 0 14 14 X2（cm） 0 0 14 2