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中篇 模拟电子技术基础第五章 半导体二极管、晶体管和场效应管一、填空题N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。 2、双极型三极管 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。 单极型 7、场效应管是利用外加电压产生的来控制漏极电流的大小的。 二、P型半导体中，。 （ ） （ ） 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K。 （ ） PN结正向偏置时，。 （ ） 。 （ ） （ ） 二极管工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （ ） 管集电极电流大于它的最大允许电流ICM该管击穿。 （ ） （ √ ） （ ）三、选择题单极型半导体器件是（ ）。 A、二极管； B、；C、场效应管管P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A、导通状态；B、截止状态； C、反向击穿状态；D、任意状态。 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ说明该二极管（ ）。 A、； B、完好状态； C、；D、。 PN结加正向电压时，其正向电流是（ ）。 A、多子漂移； B、少子漂移； C、多子扩散； D、少子扩散。 测得三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，三极管处（ ）。 A、截止区； B、饱和区； C、放大区； D、击穿区。 （ ）。UBRCEO； C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 11、场效应管是______器件。 A电压控制电压 B电流控制电压C、电压控制电流 D电流控制电流 场效应管漏极电流由____的运动形成。 A少子 B、电子 C、多子 D、两种载流子 四、题 答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。 2、N型半导体P型半导体 答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏。 5、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 图所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。μA，IC ？ （2）IC 4mA，UCE 4V，ICB ？ （3）UCE 3V，IB由40~60μA时，β ？ 解：A区是饱和区，B区是放大区，C区是截止区。 （1）观察图6-25，对应IB 60μA、UCE 3V处，集电极电流IC约为3.5mA； （2）观察图6-25，对应IC 4mA、UCE 4V处，IB约小于80μA和大于70μA； （3）对应ΔIB 20μA、UCE 3V处，ΔIC≈1mA，所以β≈1000/20≈50。 2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如下图所示，当 （1）UBE 0.7V，UCE 6V，IC ？ （2）IB 50μA，UCE 5V，IC ？ （3）UCE 6V，UBE从0.7V变到0.75V时，求IB和IC的变化量，此时的 解：（1）由（a）曲线查得UBE 0.7V时，对应IB 30μA，由 b 曲线查得IC≈3.6mA； （2）由（b）曲线可查得此时IC≈5mA； （3）由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V的过程中，ΔIB≈30μA，由输出特性曲线可知，ΔIC≈2.4mA，所以β≈2400/30≈80。 3、用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？ UBE＝0.7V，UCE＝0.3V； UBE＝0.7V，UCE＝4V； UBE＝0V，UCE＝4V； UBE＝－0.2V，UC