2011集成电计基础教学大纲.docVIP

《集成电路设计基础》课程教学大纲 课程名称：集成电路设计基础 英文名称：Fundamentals of Integrate Circuit Design 课程编码：106219 学时/学分：44/2.5 课程性质：选修 适用专业：电子科学与技术本科学生 先修课程：模拟电路、数字电路、电路分析 一、课程的目的与任务 本课程为高等学校电子科学与技术专业本科生必修的一门工程技术专业课。半导体科学是一门近几十年迅猛发展起来的重要新兴学科，是计算机、雷达、通讯、电子技术、自动化技术等信息科学的基础，而半导体工艺主要讨论集成电路的制造、加工技术以及制造中涉及的原材料的制备，是现今超大规模集成电路得以实现的技术基础，与现代信息科学有着密切的联系。本课程的目的和任务：通过半导体工艺的学习，使学生掌握半导体集成电路制造技术的基本理论、基本知识、基本方法和技能，对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。并为后续相关课程奠定必要的理论基础，为学生今后从事半导体集成电路的生产、制造和设计打下坚实基础。 二、教学内容及基本要求 第一章 集成电路设计概述? 了解微电子器件工艺发展简史。 重点难点 重点：微电子器件工艺流程。 难点：微电子器件各个工艺之间的联系。?集成电路（IC）的发展??当前国际集成电路技术发展趋势? 无生产线集成电路设计技术? ?代工工艺? ?芯片工程与多项目晶圆计划? 集成电路设计需要的知识范围??集成电路设计相关的参考书、期刊和学术会议第章?? 教学目的和要求 了解Czochralski晶体生长法区熔晶体生长法晶片的制备晶体定向。 重点难点 重点：晶体定向。难点：衬底材料的制备技术。?概述? ?硅（Si）? ?砷化镓 GaAs ? ?磷化铟 InP ? ?绝缘材料? 金属材料? ?多晶硅? ?材料系统? 第章?掌握杂质扩散机构，扩散系数，扩散流密度（菲克第一定律），扩散方程（菲克第二定律），恒定表面源扩散，有限表面源扩散，两步扩散，扩散系数与杂质浓度的关系，氧化性气体对扩散影响扩散相互作用，横向扩散，金扩散。 重点：扩散工艺。难点：扩散系数与扩散方程。.1扩散机构 .2晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 .3杂质的扩散掺杂 .4热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 .5扩散工艺条件与方法 .6扩散工艺质量与检测 .7扩散工艺的发展 第四章 离子注入 核阻挡机构，电子阻挡机构，非晶靶，单晶靶，双层靶，沟道效应注入损伤与退火。重点：注入离子的浓度分布。难点：核阻挡机构，电子阻挡机构。? 4.1概述 .2离子注入原理 .3注入离子在靶中的分布 .4注入损伤 .5退火 .6离子注入设备与工艺 .7离子注入的其他应用 .8离子注入与热扩散比较及掺杂新技术第章?外延Si气相外延的基本原理，外延掺杂，外延层中的杂质分布，低压外延，选择外延与SOS外延，分子束外延。堆剁层错，原位气相腐蚀抛光，埋层图形漂移，自掺杂。 重点：SOS外延，分子束外延。难点：外延层中的杂质分布。 .1 概述 .2 气相外延 .3 分子束外延 .4 其他外延方法 .5 外延缺陷与外延层检测第章?氧化SiO2结构与性质，SiO2掩蔽作用，热氧化生长动力学原理，扩散控制及表面反应控制，热氧化过程中的杂质再分布硅的局部氧化，氧化层错。重点：SiO2的掩蔽作用。难点：热氧化生长动力学原理。?6.1二氧化硅薄膜概述 .2硅的热氧化 .3初始氧化阶段及薄氧化层制备 .4热氧化过程中杂质的再分布 .5氧化层的质量及检测 .6其他氧化方法第章?其它薄膜制备方法 ?物理气相淀积化学气相淀积，包括CVD多晶SiSiO2和氮化硅的淀积。 重点：薄膜的化学气相淀积。 难点：化学气相淀积的方法与条件。7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4二氧化硅薄膜的淀积 7.5氮化硅薄膜淀积 7.6多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜 第章?IC版图设计? 光刻工艺流程，光致抗蚀剂的基本性质，分辨率，掩模板的制造，掩模图形的形成（光学曝光、X射线曝光、电子束直写式曝光），刻蚀技术（湿法腐蚀、干法刻蚀技术）。 重点：光刻工艺流程。 难点：曝光与刻蚀技术。.1光刻掩膜版的制造 .2光刻胶 .3光学分辨率增强技术 .4紫外光曝光技术 .5其他曝光技术 .6光刻设备? 第九章 集成电路工艺设计CMOS集成电路的工艺集成，双极集成电路的工艺集成。重点：CMOS集成电路的工艺集成。 难点：CMOS集成电路与双极集成电路的工艺的区别。.1芯片封装技术 .2集成电路测试技术 ?复习与作业要求：查阅网络