华南理工大学206年部分考研真题(待续).docVIP

华南理工大学2006年硕士研究生入学考试半导体物理试卷 一、解释下列概念：（20分） 1、霍尔效应：2、共有化运动??3、杂质补偿??4、肖特基势垒 5、??非平衡载流子寿命二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分）三、简述产生半导体激光的基本条件。（10分）四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。（10分）五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并说明其含义。（15分）六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。（15分）七、请定性画出n-n型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。（15分）八、 用n型Si衬底制成MOS电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V曲线。（15分）九、 在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度ND = 1015/cm3，受主杂质浓度NA = 4×1014/cm3；设室温下本征硅材料的电阻率ri=2.2×105W.cm，假设电子和空穴的迁移率分别为mn = 1350cm2/(V.S), mp = 500cm2/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导率。（20分）十、 施主浓度ND = 1016/cm3的n型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面态的影响，当它同金属Al、Au、Mo接触