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第四章 场效应晶体管及其电路 【场效应管，7学时】 1. MOS场效应管 EMOS场效应管：DMOS场效应管；四种MOS场效应管比较；小信号模型分析方法 2. 结型场效应管 工作原理：伏安特性 3. 场效应管应用原理 §4.1 场效应管（FET） 场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。其特点是控制端基本上不需要电流，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。它在工作过程中只有一种载流子参与导电——多子。（而在半导体三极管的工作过程中，管子内部的多子和少子都参与导电。因此，称场效应管为单极型晶体管，称半导体三极管为双极型晶体管）。 从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管JFET（Junction type Field Effect Transister）和绝缘栅型场效应三极管IGFET（ Insulated Gate Field Effect Transister） 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET（Metal Oxide Semicon-ductor FET）。从工作方式又分为增强型和耗尽型，由于结构和工作原理的特点，结型场效应管只有耗尽型。 一. 结型场效应管（JFET）【1学时】 1. 结构、电路符号及其特点（以N沟道为例） 结型场效