第1章二极管及其应用电路综述.pptVIP

* 北京大学出版社 模拟电子技术 第1章 二极管及其应用电路 * 第1章 二极管及其应用电路 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结 1.3 二极管 1.4 二极管的应用电路 教学目标与要求 熟悉半导体的导电特性。 掌握PN结的特性。 了解二极管的结构，掌握其工作原理、特性曲线 及其主要参数。 掌握稳压二极管的稳压特性，了解其主要参数； 了解发光二极管、光电二极管等半导体器件的 结构、工作原理及其应用场合。 1.1 半导体的基本知识 物质的分类 （按导电性能分） ①导体：低价元素（如Cu、AI等） 导电性能好 ②绝缘体：高价元素（如惰性气体）或高分子物 质（如橡胶） 导电性能极差 ③半导体：四价元素（如Si、Ge等） 导电性能介于导体和绝缘体之间 （1）热敏特性 半导体的多变特性 （2）光敏特性 温度升高导电能力显著变化。如热敏电阻 光线照射导电能力显著变化。如光电二极管 载流子 （3）掺杂特性 在本征半导体中掺入少量的有用的杂质，导电能力显著增强。如二极管、晶体管等。 1.1.1 本征半导体 定义 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 共 价 键 价 电 子 晶体原子的结合方式 共价键 纯净的具有单晶体结构的半导体称为本征半导体。 如图所示 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 2. 本征半导体的特点 （1）有两种载流子，即 自由电子和空穴， 且数目相等，即成 对出现。 （2）可形成两种电流， 即电子电流和空穴 电流。 空穴 自由 电子 注意 （1）金属导体只有一种载流子即自由电子。 本征激发 复合 （2）本征半导体中，自由电子和空穴的浓度相等。 （3） 本征半导体中载流子的浓度与环境温度有关； 温度T 载流子的浓度 导电能力增强 （4） 导电能力仍不如导体。 （5） 绝对零度（T=0K）时，本征半导体成为绝缘体。 1.1.2杂质半导体 ①N型半导体 ②P型半导体 多余 电子 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷） N型半导体的特点： ①有两种载流子，即自由电子 和空穴。自由电子是多子， 空穴是少子； 1. N型半导体 N型半导体 Si Si Si P+ Si Si Si Si Si Si Si Si Si B- Si Si Si Si ② 主要靠自由电子导电。 2. P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼） P型半导体 空位 空穴 P型半导体的特点： ①有两种载流子，即 自由 电子和空穴。空穴是多 子，自由电子是少子； ②主要靠空穴导电。 杂质半导体中的杂质原子必须是微量的，且有 用，否则将改变半导体的晶体结构。 【特别提示】 在杂质半导体中，所掺杂质的浓度基本上取决于 多子的浓度；而温度决定少子的浓度很低。 杂质半导体（N型半导体或P型半导体）仍呈中性。 1.2 PN结 1.2.1 PN结的形成 扩散运动 漂移运动 动态平衡 （一定宽度） 空间电荷区 PN结 - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + P区多子 N区多子 - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + 空间电荷区 内电场 说明 空间电荷区又称耗尽层 1.2.2 PN结的单向导电性 1. PN结正向偏置 外加正向电压或正向接法 PN结的正向电流可视为由多子的扩散运动形成的。 - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + 空间电荷区 内电场 R US 外电场 变窄 内电场 外电场 US R P区 N区 - - - + + + I 【特别提示】 2. PN结反向偏置 外加反向电压或反向接法 PN结的反向电流 可视为由少子的 漂移运动形成。 - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + 空间电荷区 内电场 R US 外电场 - - - - - - - - - + + + + + + +