太阳电池生产中的工艺控制解析.ppt

太阳电池生产中的 工艺控制点 对于较低的等离子功率，需要较长的刻蚀时间。如果刻蚀不足，电池的并联电阻会下降，对这种情况需要增加功率或延长刻蚀时间。如果刻蚀时间长到足以对电池片的正反面造成损伤，由于这不可避免地会造成损伤延伸到正面结区，因而也会使理想因子“n”增加。如果刻蚀时间过长，会因损伤区域的高复合而使得开路电压和短路电流降低。 等离子功率太低会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而造成某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。开路电压的分布测量是检验该问题的有效方法，如边缘刻蚀不足，则接近边缘区域时，开路电压会降低很大（甚至低到200mV）；而正常情况下，该下降应比较小。 钝化减反膜的作用和要求　 表面平整的硅片在很宽的波长范围（400～1050nm）内对入射光的反射均高于30%。该反射可以通过表面绒面来降低。但是，一方面，金字塔绒面只能在特定取向（接近100晶向）的硅片上实现，减反的效果只能低到接近10%；另一方面，对于不适合于绒面制备的硅片、因其它考虑要求平表面硅片的电池或为了进一步降低反射，需要在硅片表面制备一层或多层介质膜。 介质膜的种类及制备方法有多种，比如真空加热沉积、化学气相沉积、丝网印刷、溅射、电子束蒸发、离心甩胶甚至喷镀等等。考虑到介质膜的质量及生产成本，最常用的减反介质膜是氮化硅和二氧化钛，前者主要采用化学气相沉积，而后者主要采用喷镀、化学气相沉积和丝网印刷。 太阳电池制作中对于介质膜的要求是：折射率为1.9～2.1。我们注意到，若选择适当的介质层厚度和折射率可以将某一特定波长的入射光反射降低到零。然而，太阳光的光谱范围包含许多各种不同的波长，零反射条件的选择只能针对某一波长，其它波长的光的反射会随与此特定波长的偏离的增大而增加。因此，减反介质层的设计要根据太阳光波长的分布特征和硅材料的吸收特点而作总体考虑。基于这些考虑，对于折射率为1.9～2.1的介质层，厚度为80nm左右。这也是为什么生产出来的太阳电池看起来是蓝色的，因为较短波长的光比较长波长的光的反射要多。 当然，在实验室一般可以采用多层减反膜以使入射太阳光中多个波长光的反射均降为零，在这种情况下，太阳电池看起来是黑色或深绿色的。通常在大规模生产中，由于成本的考虑，只采用一层减反膜。 原则上，减反介质膜可以在生产过程中的不同阶段制备。以前，人们为了避免因为制备的减反膜需要耐高温以及减小由此导致的污染，通常将减反介质膜的制备安排在生产过程中的最后一步。然而，这种安排的问题是需要将金属栅线上用于焊接区域的减反介质膜去除以便封装过程中的焊接。 近年来，由于所选择的减反介质膜材料的耐高温和无污染特性，以及由于可以经过烧结穿透介质膜实现欧姆接触的丝网印刷金属浆料的开发，减反介质膜材料的制备已被安排在生产过程的中间环节。 新型丝网印刷金属浆料和与之相适应的可以通过烧结穿透实现欧姆接触的减反介质膜沉积技术的开发是过去20多年来丝网印刷太阳电池技术中最重要的进展。其关键点是通过烧结穿透实现与N型扩散区的欧姆接触而同时又不会损坏附近的结区。 当丝网印刷在30多年以前被用于太阳电池的生产时，为了实现良好的欧姆接触而又要保证在后续的烧结过程中金属不会穿透到结区，磷扩散得比较浓而结又比较深。因此，过去几十年以来，丝网印刷太阳电池均采用浓度较高结比较深的扩散条件。而在丝网印刷之前进行减反膜沉积的新型工艺的采用可以使后续的烧结过程中金属在硅片里的穿透做到尽可能地小。这有两方面的好处：可以采用较浅的扩散结以及使烧结后硅和金属的接触面靠近硅片表面。对于金属穿透比较小的情况，因越靠近硅片表面，磷扩散浓度越高，串联电阻就越低。而对于结比较浅的情况，在发射区因光的吸收产生的电子空穴对的收集几率相对较大。 扩散工艺及控制要点　 由于硅太阳电池实际生产中均采用P型硅片，因此需要形成N型层才能得到PN结，这通常是通过在高温条件下利用磷源扩散来实现的。这种扩散工艺包括两个过程：首先是硅片表面含磷薄膜层的沉积，然后是含磷薄膜层中的磷在高温条件下往P型硅片里的扩散。 在高温扩散炉里，汽相的POCl3（phosphorus oxychloride）或PBr3（phosphorus tribromide）首先在硅表面形成P2O5（phosphorus pentoxide）；然后，其中的磷在高温作用下往硅片里扩散。 扩散过程结束后，通常利用“四探针法”对其方块电阻进行测量以确定扩散到硅片里的磷的总量。对于丝网印刷太阳电池来说，方块电阻一般控制在40-50 ?/?。 发射结扩散通常被认为是太阳电池制作的最关键的工艺步骤。扩散太浓，会导致短路电流降低（特别是短波长光谱响应很差，当扩散结过深时，该效应还会加剧）；扩散不足，会导致横向传输电阻过大，同样还会引起金属化时