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第二章 半导体基本器件 半导体二极管 一、半导体基本知识 1、半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，通称半导体。如：硅、锗以及大多数金属氧化物和硫化物等。 纯净半导体具有以下特殊性能： ①热敏性——温度升高时，半导体的导电能力明显增强。因此，可用来制成热敏元件，如：温度传感器、控制电饭煲的热敏元件等。 ②光敏性——受光线照射时，半导体的导电能力大为增强。因此，可用来制成光敏元件，如：发光管、受光管等。 ③掺杂性——掺入微量杂质，其导电能力提高几十万乃至几百万倍。因此可用来制成半导体器件。 2．本征半导体（纯净半导体） 由单一元素组成，并具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 本征半导体在一定温度下，原子最外层的电子受热激发成为“自由电子（-）”，并留下“空穴（+）”。在外电场作用下，自由电子与空穴向相反方向运动形成电流。自由电子与空穴通称“载流子”。半导体受激发成对形成自由电子和空穴的同时，一部分空穴捕获自由电子，称为复合。常温下激发与复合动态平衡时，载流子较少，导电能力很差。温度越高，载流子越多，导电能力越强。 3．掺杂半导体（型和半导体） 在本征半导体中掺入微量其它元素，形成两大类杂质半导体。一类是型半导体；另一类是型半导体。 （1）型半导体 在单晶硅或单晶锗中掺入 少量价磷原子。磷原子的最外层个 价电子与相邻原子形成共价键；另一个 价电子受原子束缚很小，很容易激发成 自由电子。 在这种杂质半导体中，多数载流子为自由电子（-），少数载流子为空穴（+），故称为电子型半导体或称型半导体。 自由电子导电是型半导体的主要导电形式。 （2）型半导体 在单晶硅或单晶锗中掺入 少量价硼原子。硼原子的最外层个 价电子与相邻原子形成共价键；缺一个 价电子形成空穴（+）。在这种杂质半导 体中，多数载流子为空穴（+），少数载 流子为自由电子（-），故称为空穴型半 导体或称型半导体。 空穴导电是型半导体的主要导电形式。 注意：虽然在杂质半导体中，型半导体多数载流子为自由电子（-），型半导体多数载流子为空穴（+），但是，从宏观看杂质半导体依然是电中性的。 4、结的形成 在一块纯净的半导体 晶片上，采用特殊工艺方 法，向两边分别掺入不同 的杂质，便形成型和 型半导体。 扩散与复合 案例一：水中加糖。 说明扩散与复合的概念。强调：形成扩散的原因——浓度差。 在界面上区空穴（+）向区扩散，留下负离子；区自由电子（-）向区扩散，留下正离子。两种半导体的界面上形成的空间电荷区，称为结。 空间电荷区的正、负离子便产生内电场，由区指向区。 强调：内电场的两个作用，阻挡多子扩散和推动少子漂移。 多数载流子的扩散运动，形成扩散电流。在内电场作用下，少数载流子的漂移运动，形成漂移电流。扩散电流等于漂移电流时，达到动态平衡，净电流为零。此时，空间电荷区内可移动的载流子很少，呈现高电阻率。 5、结的单向导电性 如图，当区外接电源正极，区外接电源负极时（正向偏置），多数载流子扩散运动加强，空间电荷区变窄，内电场削弱，形成正向电流。正向电压越高，正向电流越大，结处于低阻状态，称为“导通”。 如图，当区外接电源正极，区外接电源负极时（反向偏置），内电场增强，空间电荷区变宽，扩散电流被削弱，漂移电流加强，形成反向电流。反向电流是少数载流子的移动，反向电流很小。结处于高阻状态，称为“截止”。 结加正压时导通，加反压时截止，称结的单向导电性。 二、二极管的符号及其主要参数 1、结构 在一个结的两端各接出电极引线，加上管壳密封，就构成是半导体二极管。 2、类型 ①按工艺分： 点接触型：二极管（锗管）所能通过的电流较小，承受反向电压较低，但其极间电容很小，高频性能较好。这类二极管主要用于高频电路，小功率场合以及作为数字电路中的开关元件。 面接触型：二极管（硅管）所能通过的电流较大，承受反向电压较高，但其极间电容很大，高频性能很差。这类二极管主要用于低频电路、整流电路。 ②按用途分：整流、检波、稳压、光电、开关等等 ③按材料分：硅管 多为面接触型； 锗管 多为点接触型。 3、二极管的符号 4、二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线描述了结两端电压与流过结电流之间的关系。即反映电压和电流相互关系的图形曲线。 ①正向导通 当加正向电压较小时，结仍处于 截止状态，电流几乎为零。当正向电压大 于导通电压（开启电压）时，电流 随电压增大而明显增大。 ②反向截止 当加反向电压时，结处于 截止状态，反向电流很小。当反 向电压大于击穿电压时， 急剧增加，损坏结。 工程上，通常取 锗管 硅管。 二极管的特性与其工作环境的 温度有