第6章化合物半导体探索.pptVIP

　　Ⅲ一V族化合物半导体的离子键成分与其组成的Ⅲ族和V族原子的电负性之差有关。两者差越大，离子键成分就越大，而共价键成分就越小。 　　例如，GaP的Ga原子的电负性是1.6，P原子电负性是2.1，它们相差0.5。由课本的化合物原子电负性差与离子键的成分关系图（图6—2）可查出相对应的离子键成分为7.5％，也就是说GaP中共价键成分可能是92.5％。 　　但GaP为闪锌矿型，最靠近Ga原子的P原子共有四个，而Ga原子的价电子只有3个，所以Ga原子只能和3个P原子形成共价键，因此从整个晶体来考虑，共价键成分应等于92.5×3／4=71％，所以离子键成分占29％。 　　纤维锌矿结构为：六方晶系、六角密堆积结构，离子键起主要作用。 Ⅲ一V族化合物半导体的能带结构 重要概念：　　 直接跃迁: 如果在能量转移过程中，电子的动量保持一定，电子可从导带直接跃迁到价带而发出光，这就称为直接跃迁。 间接跃迁: 如果电子与空穴结合必须改变其动量，则跃迁较困难且用光、热的方式将能量散出，这就称为间接跃迁。 半导体的导带的最低能量状态和价带的最高能量状态不在 k 空间 (动量)的同一位置，这种结构称为间接跃迁型，半导体为“间接带隙半导体”。　 在同一位置的半导体称为直接跃迁型，半导体称为“直接带隙半导体”。 (1) GAs的导带极小值和价带极大值都在k=0，而Ge、Si的价带极大值虽在波