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§2.2 金属间化合物 金属间化合物（中间相）：金属与金属或金属与类金属之间所形成的化合物。 影响因素：电负性，电子浓度，原子尺寸 类型： 正常价化合物：符合原子价规则的化合物，AmBn 电子化合物（电子相）：按照一定电子浓度值形成。 间隙化合物：受原子尺寸因素控制。 §2.2.1 正常价化合物 符合原子价规则的化合物。AmBn，mec=n(8-eA) 有一定成分，可用化学分子式表示， 一般表示为AB或AB2（A2B）。 电负性差对其形成其主要作用，差值越大，稳定性越高。 键型：随电负性差的减小，分别形成离子键、共价键、金属键。 形成元素：金属元素与ⅣA、ⅤA、ⅥA族元素。 结构：不同于组元。NaCl结构，CaF2结构 §2.2.2 电子化合物 不遵守化合价规律，按一定电子浓度值形成。电子浓度不同，晶格类型不同。 相： β γ ε 电子浓度： 3/2 21/13 21/12 结构： bcc 复杂立方 密排六方 键型：金属键（金属－金属），有金属特性。 可用化学式表示，但成分可在一定范围内变化，可以形成以化合物为基的固溶体。 形成元素：ⅠB族或过渡族金属元素与ⅡB、ⅢA、 ⅣA族元素。 §2.2.3 间隙化合物 受原子尺寸因素控制 形成元素：过渡族金属与原子半径很小的非金属元素。 简单间隙化合物（间隙相）：Rx/RM0.59, 结构简单。 金属原子呈现新结构，非金属原子位于其间隙，结构简单。如面心立方VC 复杂间隙化合物： Rx/RM0.59, 结构复杂。主要是铁、钴、铬、锰的化合物，如Fe3C。 拉弗斯(Laves)相 结构：AB2型，rA/rB=1.05-1.068 MgCu2：立方系， MgZn2：立方系 MgNi2：六方系 Laves相介于间隙化合物与电子化合物之间，主要取决于几何因素，但电子浓度也起一定作用，也有人将其归为电子化合物。 §2.2.4 金属化合物的特性 力学性能：高硬度、高熔点、低塑性 特殊的物理化学性质：具有电学、磁学、声学性质等，可用于半导体材料、形状记忆材料、储氢材料等。 例题2.2.2：p63 * (*) 1 7 6 5 3 2 8 9 4 第二节 金属间化合物 第二节 金属间化合物 性能特点：熔点、硬度及脆性较高。 第二节 金属间化合物 对含过渡族元素的电子化合物，计算电子浓度时，过渡族元素的价电子数常视为零。 第二节 金属间化合物 第二节 金属间化合物 * (*) 1 7 6 5 3 2 8 9 4