98材料科学与工程学系国科会计画中文摘要doc.docVIP

材料科學與工程學系 計畫名稱：基板工程應用於氧化鋅與鑽石異質磊晶成長之研究(1/3) 研究者：張立 經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞： 氧化鋅與鑽石為寬能隙半導體，皆兼具許多良好的性質，如有高品質磊晶薄膜，可做成半導體或光電元件。雖然目前這兩種材料皆有單晶基板，但是價格昂貴，尺寸受限，表面前處理不易，同質磊晶技術未臻成熟階段，有許多困難尚待克服。因此，本計畫擬以異質磊晶方式，使用不同的基板，成長高品質薄膜。從各種單晶基板之晶體表面結構及晶格關係著手，選用特定之基板與緩衝層，針對氧化鋅與鑽石製程特性，成長氧化鋅與鑽石之磊晶層，從基本之磊晶結晶關係及薄膜成長之原理，探討薄膜成核與成長之過程，並嘗試用電子顯微鏡、X光繞射等了解相關微觀結構、性質跟製程三者之間的關係。 氧化鋅磊晶以非極性面為主，基板以LaAlO3 (112)、(LaO0.18 SrO0.82) (AlO0.59 TaO0.41) (112)、LaSrAlO3 (110)、NdCaAlO4(110)、YSZ(102)單晶為主，這些晶面的原子排列可以做為氧化鋅的模板，兩者之間的晶格差異小。因此，本計劃擬用雷射脈衝沉積以得到高品質之磊晶，從實驗加以驗證模板的可行性；更進一步，有機會得到具有較佳光電性質的n型摻雜之非極性氧化鋅磊晶。 TiN、TiC、TiCN、TiAlN等皆為面心立方結構