一种用于制备氧镓纳米线的方法.docVIP

一种用于制备氧化镓纳米线的方法 技术领域 本发明涉及一种利用MOCVD制备氧化镓纳米线的方法，实现简单有效的氧化镓纳米线，提高其质量。GaN膜质量的蓝宝石图形衬底的设计和制备方法，涉及半导体材料制备领域。 背景技术 目前GaN薄膜还是生长在异质衬底上，如蓝宝石、碳化硅及硅 等。蓝宝石目前是最广泛应用的衬底材料，但是由于其晶格与GaN失配较大，因此在其上生长的GaN薄膜质量较差。为了提高GaN的结晶质量，人们将蓝宝石衬底制备图形化，可以大幅提高GaN的结晶质量。目前，针对图形化衬底已经有各种图形，包括圆锥形、圆台形、三角锥形、三棱台形等。但是，这些蓝宝石图形大多没有考虑到露出晶面对生长质量的影响。 发明内容 针对现有MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备GaN膜存在的质量较差的问题，本发明提供一种新型蓝宝石衬底图形来提高GaN薄膜质量。通过在蓝宝石衬底上制备多个规则排列的蓝宝石r晶面暴露的三棱锥（或三棱台），有效地降低其上生长的GaN膜内由应力引起的缺陷的密度。 本发明提供一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底，采用光刻与等离子刻蚀的方法来制备，具体包括以下步骤： 步骤1：在c面蓝宝石衬底上做规则排列的三角形光刻胶图形，其中三角形的一条底边在衬底平面内的垂直方向与蓝宝石衬底的参考边（110）方向呈30度角。 步骤2：利用ICP干法刻蚀技术将光刻图形转移到蓝宝石衬底上。 其中蓝宝