第6章Cu(InGa)Se2太阳电池.pptVIP

由于CdS作为异质结的构成者所具有的优越性质，以及CBD过程的化学性质，很难找到它的替代者。从产业化的观点来看，避免使用CdS和化学浴的工艺是有利的。 一方面，像CdS这样的有毒材料需要格外的安全规范；另一方面，化学浴沉积并不适于在线组件制造的真空沉积工序。 研究上也发现，如果采用Cd-ZnS的合金薄膜，会因为能隙的增加而提升CIGS太阳电池的效率，这是因为更多的光线可穿透缓冲层，而被CIGS层所吸收的缘故。 要避免使用到镉的作法有二：（1）使用可以替代CdS的材料（2）省略CdS层，直接经ZnO层长在CIGS薄膜上。在替代材料的选择上，有ZnS、ZnSe、Zn（Se，OH）、InxSey、In2S3、ZnInxSey等。 6.4.4 透明导电氧化层 可以用来当成透明导电氧化层材料有三种，包括有SnO2、In2O3:Sn 简称为ITO 、及ZnO。 SnO2必须在较高的温度下淀积产生，这点限制了它应用在CIGS太阳电池上的可能性，这是因为已覆盖着CdS的CIGS薄膜，无法承受250℃以上的高温之故。 而ITO及ZnO两者都可被应用在CIGS太阳电池上，其中ZnO最为普遍被采用，这是因为它的材料成本低的原因。在ZnO中添加适当的Al，也是颇为常见的透明导电氧化层材料。 透明导电氧化层ZnO 最常用的的低温TOC淀积技术为溅镀法。在工业上，直流技术法已很普遍的用在生长ITO薄膜，但应