改进型共源共栅电流镜设计报告 .docVIP

前言：本文谨献给有共同兴趣爱好的同学们，以互相讨论共同进步。由于本人是初学者，文中难免有误，真诚希望同学和前辈们批评指正；在设计过程中走过不少弯路，深知其中的困难，为了共同的提高，兹特共享此文。真诚期待喜欢模拟又切实投入时间探讨的同学加为好友：wangqq05377@szcie.pku.edu.cn 改进型共源共栅电流镜设计报告 Author:WANGQQ 【摘要】： 本文力图严谨、细致和全面地把一个典型的电流镜设计过程呈现给读者，该文探讨的是改进过的低输出电压高输出电阻的电流镜设计。 【关键字】：共源共栅、高输出电阻、低输出电压 边界条件 1.1工艺规范 硅晶体的一些常数 硅带隙 1.205V(300K) 波尔兹曼常数 1.38e-23J/K 本征载流子浓度 (@300K) 1.45e10 真空介电常数 8.85e-14F/cm 硅介电常数 1.05e-12F/cm 二氧化硅介电常数 3.5e-13F/cm 电子电荷 1.6e-19C 制造工艺 0.5um COMS N_WELL 3metal 1poly SPICE LEVEL1 COMS体工艺模型参数 MOSFET N_channel P_channel 阈值电压 0.6431V -0.6614V 本征导电因子(跨导参数)KP 123e-6