机械制造第13章图三甲座号.doc

機械製造第13章 圖三甲 座號 姓名 1.將磨料細粉 粉磨料 與油、油膏或水等混合塗於工作物表面，欲磨面與機器疊蓋之間，旋轉其一得到光滑之表面者為 A 超光製　 B 研磨　 C 搪磨　 D 滾筒磨光。 2.將CAD的3D圖檔具體化為實體精密模型後進行加工者為 A RE　 B RP　 C PR　 D RF。 3.利用氧化鋁或碳化矽磨料製成的油石 磨石 ，用手工或機力以低速旋轉之磨擦作用除去輪磨後的表面，將工件磨光以達精確的尺寸及矯正各種畸形內孔者為 A 研磨　 B 搪磨　 C 超光製　 D 滾筒磨光。 4.下列何者不屬於生產自動化技術之範疇？ A 微影技術 Lithography 　 B 群組技術 Group technology 　 C 自動倉儲 Automated warehouse 　 D 機器人 Robot 。 5.下列何者不是半導體製造主要流程？ A 混雜　 B 薄膜製作　 C 蝕刻　 D 微影。 6.切割晶圓常以下列何種刀具材料？ A 碳化物　 B 陶瓷　 C 鑽石　 D 高速鋼。 7.關於微機電系統優點，下列敘述何者不正確？ A 整合機械結構和電腦軟硬體　 B 降低產品成本　 C 提高產品精度　 D 縮小產品尺寸。 8.噴砂加工，下列敘述何者不正確？ A 大量切削　 B 美化工件表面　 C 消除工件應力集中　 D 去除工件毛頭銹皮。 9.在已經完成的加工面上，以磨石作刀具再作精磨，去除表面磨痕的加工法稱為 A 拋光 Polishing 　 B 搪磨 Honing 　 C 研磨 Lapping 　 D 超光製 Super Finishing 。 10.結合化學加工 Chemical Machining 與精密拋光 Polishing 兩種加工方法，可發展出半導體製造業使用之化學機械研磨 Chemical Mechanical Polishing，簡稱CMP 技術。針對這種複合加工方法，下列敘述何者不正確？ A CMP是一種高精密之加工方法　 B CMP需要使用大量清水　 C CMP產生之廢液污染性相當高　 D CMP需使用大量人力。 11.「奈米」代表下列何項尺寸？ A 10－12m　 B 10－9m　 C 10－6m　 D 10－3m。 12.半導體產業的製程為 A 由小作大　 B 由大縮小　 C 由合而組　 D 由組而合。 13.將建構物體的幾何模型轉換成圖檔後進行加工者為 A PR　 B RF　 C RE　 D RP。 14.在已經完成的加工面上，以磨石作刀具再作精磨，去除表面磨痕的加工法稱為 A 研磨 Lapping 　 B 搪磨 Honing 　 C 拋光 Polishing 　 D 超光製 Super Finishing 。 15.現代的測長儀其精度可達0.1微米，其中「微米」代表下列何項尺寸？ A 10－12m　 B 10－6m　 C 10－9m　 D 10－3m。 16.關於半導體之特性，下列敘述何者不正確？ A 半導體的電氣性質可藉著控制、植入結晶結構的雜質原子數量而改變　 B 近年來，已使用化合物半導體為砷化鎵 Gallium Arsenide 及「鉿」 Hafnium ，未來可能會取代矽，成為優異之半導體　 C 半導體的製造過程可以在有塵的環境下進行　 D 半導體元件的電氣效用可藉著不同的摻雜原子 Dopants 與濃度梯度所產生的區域而得到控制。 17.近期奈米科技的製程為 A 由大縮小　 B 由小作大　 C 由組而合　 D 由合而組。 18.下列何者不為傳統微機械切削加工方法？ A 雷射加工　 B 微車削加工　 C 微銑削加工　 D 微孔加工。 19.採用柴可斯基法 Czochralski Process ，將一顆「種晶」浸入熔融的矽液內，然後在旋轉時慢慢拉出，此種長晶技術稱為 A 結晶　 B 轉晶　 C 拉晶　 D 出晶。 20.微影是將元件的幾何圖案，係經何種方式傳遞到矽晶片基板表面 A 薄膜　 B 沈積　 C 光罩　 D 蝕刻。 21.將CAD的3D圖檔具體化為實體精密模型後進行加工者為 A RF　 B RP　 C RE　 D PR。 22.下列何者不為非傳統微機械切削加工方法？ A 微放電加工　 B 微離子束加工　 C 微銑削加工　 D 微雷射加工。 23.能加工不規則形狀之工作面者為 A 研磨　 B 超光製　 C 擦光　 D 搪磨。 24.關於封裝的目的，下列敘述何者不正確？ A 熱的保留　 B 電路保護　 C 電力傳送　 D 訊號傳送。 25.微機電系統簡稱 A MEMS　 B MSEM　 C MESM　 D SMEM。 26.選用硼或鎵原子作為雜質取代一些矽原子者為 A N