半导体光调制器的基本结构及原理精编.docVIP

半导体光调制器的基本结构及原理 学院：电子信息学院 专业：光电子科学与技术 学号：1142052022 姓名：代中华 一 引言 (quantum-confined-Stark effect, QCSE)的电吸收(Electroabsorption, EA)调制器和Mach-Zehnder(M-Z)型光调制器。 二 电吸收调制器1. Franz-Keldysh 效应2. Wannier-Stark局域化效应3. 量子限制Stark效应。下面分别介绍这三种效应。 1. Franz-Keldysh 效应 在体材料电吸收型调制器中，吸收层采用的是体材料(Butt Material)，依靠Franz-Keldysh效应实现调制。 在体材料中，光子吸收主要发生在价带电子被受激跃迁到导带的情况。外电场使能带倾斜，当外电场很强时，价带电子通过隧穿跃迁到导带的几率大大增加，有效能隙减小，使得吸收边发生红移，这种效应就是Franz-Keldysh 效应。 由于体材料电吸收调制器的有源层厚度在几百纳米量级，生长控制比较简单；有源层结构对光生载流子的限制较小，光生载流子的逸出相对于多量子阱调制器容易，因而在大功率下的调制特性上，体材料调制器有一些优势。另外，和直接调制方式相比，其频率啁啾也比较小。 但是，Franz-Keldysh效应的特点是带间跃迁，加上体材料的抛物型能态密度，所以体材料调制器具有吸收率