微电子器件!双极型晶体管寄生电容的测量实验试卷.doc

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双极型晶体管特性的测量与分析 课程实验报告 实验名称 双极型晶体管特性的测量与分析 系 别 通信工程 姓 名 郑滔 学 号 2012102068 班 级 微电子122班 实验地点 6503 实验日期 2014年12月25日 评 分 指导老师 姚尧 同组成员 刘明(2012102053): 张露漩(2012102078): 刘佳欣(2012102066): 杨豪(2012102051): 杨倩(2012102084) =1:1:1:1:1 一、实验内容(含实验原理介绍): 1、测量晶体管的输入特性曲线和输入电阻Ri;原理如下所示: 在共射晶体管电路中,输出交流短路时,输入电压和输入电流之比为Ri,即 ;它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。所以通过输入特性曲线得到Ri的方法只需要截取输入特性的一部分,计算出它的斜率即可得到Ri: 输入特性曲线: 输出特性曲线、转移特性曲线和β、hFE、;原理如下所示: 在共射电路中,输出交流短路时,输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。在共射电路中,输出端短路时,输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数hFE。输出电流与输入电流之比即为α。调节峰值电压得到输出特性曲线,由定义可以得到参数的值为: 注:β>hF

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