电工与电子技术二)练习.docVIP

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  • 2016-10-16 发布于贵州
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电工与电子技术二)练习

电工与电子技术(二)练习 填空 1.N型半导体是在本征半导体中加入 5 价物质后形成的,N型半导体中自由电子浓度大于空穴浓度,在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加的是 少子 。 2.P型半导体是在本征半导体中加入 3 价物质后形成的。P型半导体的多子是 空穴 ,当温度升高时,二极管反向饱和电流将 增大 。 3.稳压管能够稳定电压,它必须工作在 反向击穿状态 状态。 4.二极管最主要的特点是 单向导电性 ,确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 反向击穿电压 和 额定的整流电流 。 5. 不能用万用表R×1档测量二极管的正向电阻原因是 二极管会因为过电流而烧毁 。 6.二极管伏安特性上有一个死区电压,硅管的死区电压典型值约为 0.5V ,锗管的死区电压典型值约为 0.1V 。 7.在题7图所示电路中,若测得a、b两端的电位如图所示,则二极管工作状态为 导通 。 8.电路如题8图所示,输出电压Uo为 (-8V) 。 9.电路如题9图所示,二极管为同一型号的理想元件,VA=3 V,VB=2sinωt V,R=4kΩ,VF等于 (2sinωt V ) 10.电路如题10图所示,二极管为同一型号的二极管,其正向压降

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