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- 2016-10-16 发布于重庆
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电子学第2章doc
電子學第2章
( ) 1. 有關外質(Extrinsic)半導體之敘述,下列何者錯誤? (A) P型半導體之少數載子為電洞 (B) 將三價雜質元素摻入純半導體中,以形成P型半導體 (C) 將五價雜質元素摻入純半導體中,以形成N型半導體 (D) N型半導體之多數載子為自由電子
( ) 2. 二極體的順向導通電流方程式為? (A) (B) (C) (D)
( ) 3. 二極體的空乏電容隨著逆偏電壓的增加而? (A) 無影響 (B) 不一定 (C) 增加 (D) 減少( ) 4. 熱當電壓VT在室溫下約為? (A) 10mV (B) 2.5mV (C) 25mV (D) 1mV
( ) 5. 電子伏特(eV:electron volt) (A) 電流 (B) 能量 (C) 電量 (D) 電壓
( ) 6. 下列敘述何者不正確? (A) 將磷(P)或砷(As)加入一本質半導體可以將此半導體變為P型外質半導體(Extrinsic Semiconductor) (B) 在摻有銻(Sb)的半導體中,Sb扮演的角色是施體(Donor) (C) 矽(Si)及鍺(Ge)皆是本質半導體(Intrinsic Semiconductor) (D) 在P型半導體中之多數載子(Majority
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