复旦大学微电子器件第一章电子态.pptVIP

本课程的目的 为后继课程的学习打基础； 提高工作中分析问题和解决问题的能力； 提高今后工作中继续学习和研究的能力。 主要参考书： 《双极型与MOS半导体器件原理》黄均鼐 汤庭鳌编著 其他参考书： 1、《半导体物理学》 刘恩科 国防工业出版社 （1994） 2、R.M.Warner,B.L.Grung Semiconductor-Device Electronics (《半导体器件电子学》吕长志等译，电子工业出版社2005年2月出版) 3、Robert F. Pierret Semiconductor Device Fundamental (《半导体器件基础》黄 如等译，电子工业出版社2004年11月出版) 要 求 这门课程是本科三门课程的集合，本科课堂教学约200学时，而且学习难度比较大，和后继课程关系密切，你们必须努力学习。 本课程学习范围限于课堂内容。参考书中相关的内容自己选择阅读。 不无故缺课。 认真听课（记笔记)。 认真复习(研读笔记或ppt，看参考书相关内容）。 认真整理重点内容。 认真做习题。 半导体物理和半导体器件物理 半导体中的电子状态 平衡态电子统计分布 电导率和迁移率 非平衡载流子 结 MOSC-V BJT（双极型晶体管） MOSFET(MOS晶体管） 单晶半导体 单晶：原子在空间按一定的规律周期性排列。 金刚石、硅、砷化镓等大部分半导体