半导体物理学复习提纲2014-6-19精编.doc

试卷结构： 一、选择题（每小题分，共分）二、三、题（每小题分，共0分） 题每小题0分第一章 半导体中的电子状态 §1.1 锗和硅的晶体结构特征 §1.2 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度；本征激发的概念 §1.3 半导体中电子的运动 有效质量 导带底和价带顶附近的E(k)~k关系； 半导体中电子的平均速度； 有效质量的公式：。 §1.4本征半导体的导电机构 空穴 空穴的特征：带正电；；； §1.5 回旋共振 §1.6 硅和锗的能带结构 硅和锗的能带结构特征： 导带底的位置、个数； 价带结构：价带顶的位置，重空穴带、轻空穴带以及自旋-轨道耦合分裂出来的能带。 硅和锗第二章 半导体中杂质和缺陷能级 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 基本概念：施主杂质，受主杂质，杂质的电离能，杂质的补偿作用。 §2.2 Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级第三章 半导体中载流子的统计分布 热平衡载流子概念玻耳兹曼） §3.1状态密度 定义式：； 导带底附近的状态密度：； 价带顶附近的状态密度： §3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布 Fermi分布函数：； Fermi能级的意义：它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。1）将半导体中大量的电子看成一个热力学系统，费米能级是系统的化学势；