PMOSFET版图设计.docVIP

xxxxxxxxxx实验报告 课程名称：集成电路设计 实验名称： PMOSFET 版图设计 学号 姓名： 指导教师评定：____________________________ 签名：_____________________________ 实验目的 1、了解集成电路版图设计流程。 2、利用L-Edit 进行PMOSFET 版图设计。 实验器材 计算机一台，Tanner L-Edit软件 实验原理 PMOSFET 在N 型硅衬底上有两个P 区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N 型硅表面呈现P 型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。图8.8 所示为PMOSFET 结构示意图和符号。 实验内容及步骤： 1、 启动版图编辑器L-Edit。 2、 建立新文件。选择File---New 命令，文件类型为Layout，在New File 对话框的Copy TDB setup from file 栏中选择一个已经存在的文件，利用其设置信息作为新建文件的设置信息，并通过Save as 命令，将文件名更改为MOS，并保存。 3、 设置设计环境。在绘图前要设定